[發(fā)明專利]基于GaN材料的LED芯片及LED燈在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711382332.0 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108133994A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 左瑜 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安智盛銳芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黃晶晶 |
| 地址： | 710075 陜西省西安市*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 熒光粉 紅光材料 藍(lán)光材料 色溫調(diào)節(jié) 集成度 單芯片 生長 靈活 | ||
1.一種基于GaN材料的LED芯片，其特征在于，包括：
襯底(11)；
至少一個藍(lán)光材料和至少一個紅光材料，均生長在所述襯底(11)上。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，還包括隔離壁，設(shè)置于所述藍(lán)光材料和紅光材料之間，用于隔離所述藍(lán)光材料和紅光材料。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片，其特征在于，還包括電極，設(shè)置于所述藍(lán)光材料和所述紅光材料上。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于，所述藍(lán)光材料依次包括第一GaN緩沖層(101)、GaN穩(wěn)定層(102)、n型GaN層(103)、InGaN/GaN多量子阱有源層(104)、p型AlGaN阻擋層(105)及p型GaN層(106)，其中，GaN緩沖層(101)設(shè)置于所述襯底(11)上。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片，其特征在于，所述InGaN/GaN多量子阱有源層(104)包括多個GaN勢壘層(104a)和多個InGaN量子阱層(104b)，其中，所述GaN勢壘層(104a)和所述InGaN量子阱層(104b)交替排布。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片，其特征在于，每個所述GaN勢壘層(104a)厚度為5～10納米。
7.如權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于，所述紅光材料依次包括第二GaN緩沖層(401)、n型GaAs緩沖層(402)、n型GaAs穩(wěn)定層(403)、GalnP/A1GaInP多量子阱有源層(404)、p型A1GaInP阻擋層(405)及p型GaAs接觸層(406)。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，所述GalnP/A1GaInP多量子阱有源層(404)包括多個GaN勢壘層(404a)和多個A1GaInP勢壘層(404b)，其中，所述GaN勢壘層(404a)和所述A1GaInP勢壘層(404b)交替排布。
9.如權(quán)利要求8所述的芯片，其特征在于，每個所述A1GaInP勢壘層(404b)厚度為5-10納米。
10.一種LED燈，包括LED支架，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的LED芯片，所述LED芯片裝載于所述LED支架上。
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