[發明專利]四原色LED芯片的制備方法

有效

• 申請號: 201711382284.5
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN107946421B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 尹曉雪
• 申請（專利權）人: 安徽穿越光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/00
• 代理公司: 合肥市科融知識產權代理事務所(普通合伙) 34126
• 代理人: 劉冉

1.一種四原色LED芯片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟a、制備藍光結構；

步驟b、在所述藍光結構上制備紅光燈芯槽；

步驟c、在所述紅光燈芯槽內制備紅光材料形成紅光結構；

步驟d、在所述藍光結構上且在所述紅光結構之間制備綠光燈芯槽；

步驟e、在所述綠光燈芯槽內制備綠光材料形成綠光結構；

步驟f、劃片并制作電極；

其中，步驟a包括：

步驟a1、選取襯底；

步驟a2、在所述襯底上依次生長藍光CaN緩沖層、藍光GaN穩定層、藍光n型GaN層；

步驟a3、在所述藍光n型GaN層上制備藍光發光結構；

步驟a4、在所述藍光發光結構上依次生長藍光p型AlGaN阻擋層、藍光p型GaN層形成所述藍光結構；

步驟b包括：

步驟b1、在所述藍光結構上生長第一SiO₂層；

步驟b2、采用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述第一SiO₂層形成紅光燈芯窗口；

步驟b3、采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述紅光燈芯窗口內材料直到所述藍光CaN緩沖層內以形成紅光燈芯凹槽；

步驟b4、去除所述第一SiO₂層；

步驟b5、在所述紅光燈芯凹槽內淀積第二SiO₂層；

步驟b6、刻蝕所述第二SiO₂層形成所述紅光燈芯槽；

步驟c包括：在所述紅光燈芯槽內依次生長紅光GaN緩沖層、n型GaAs緩沖層、n型GaAs穩定層、紅光發光結構、p型A1GaInP阻擋層、接觸層；

步驟d包括：

步驟d1、在所述藍光結構上制備第三SiO₂層；

步驟d2、采用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述第三SiO₂層形成綠光燈芯窗口，所述綠光燈芯窗口位于所述紅光結構之間；

步驟d3、采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述綠光燈芯窗口內材料直到所述藍光CaN緩沖層內形成綠光燈芯凹槽；

步驟d4、去掉所述第三SiO₂層；

步驟d5、在所述綠光燈芯凹槽內淀積第四SiO₂層；

步驟d6、刻蝕所述第四SiO₂層以形成所述綠光燈芯槽；

步驟e包括：在所述綠光燈芯槽內依次生長綠光GaN緩沖層、綠光GaN穩定層、綠光n型GaN層、綠光發光結構、綠光p型AlGaN阻擋層、綠光p型GaN層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底的材料為藍寶石或者SiC。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟f包括：

步驟f1、在所述芯片表面淀積第五SiO₂層并刻蝕形成下電極窗口；

步驟f2、刻蝕所述下電極窗口下的材料直到所述藍光n型GaN層；

步驟f3、去掉所述第五SiO₂層并在所述芯片表面淀積第六SiO₂層；

步驟f4、刻蝕所述第六SiO₂層分別形成上電極接觸窗口和下電極接觸窗口；

步驟f5、在所述上電極接觸窗口中形成上電極，所述下電極接觸窗口中形成下電極；

步驟f6、制備鈍化層并劃片。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述紅光燈芯窗口和所述綠光燈芯窗口橫截面均為矩形。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述矩形的長和寬均為100微米。