[發(fā)明專利]一種光電探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711381838.X | 申請(qǐng)日： | 2017-12-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108172634B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉江濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 貴州民族大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0203 | 分類號(hào)： | H01L31/0203;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/109;H01L31/08;H01L31/118;H01L25/04;H01L23/552;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 55000*** | 國(guó)省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 光電 探測(cè)器 | ||
1.一種光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器中包括：光電探測(cè)層和第一電極層，所述第一電極層設(shè)置于所述光電探測(cè)層一側(cè)表面，得到光電探測(cè)結(jié)構(gòu)；
所述光電探測(cè)層由二維材料或二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備而成；
所述光電探測(cè)器中還包括一基底層和第二電極，所述基底層與光電探測(cè)層之間通過(guò)空氣層隔離，所述第一電極于所述空氣層四周位于所述基底層和光電探測(cè)層之間；所述第二電極設(shè)置于所述光電探測(cè)層上與所述第一電極相對(duì)的另一側(cè)表面。
2.如權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述二維材料為石墨烯或二硫化鉬或二硫化鎢。
3.如權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)為石墨烯-二硫化鉬，或石墨烯-二硫化鎢，或二硫化鉬-二硫化鎢。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器由多個(gè)光電探測(cè)結(jié)構(gòu)疊加而成，前一光電探測(cè)結(jié)構(gòu)中的電極層與后一光電探測(cè)結(jié)構(gòu)中的光電探測(cè)層通過(guò)一絕緣層連接，各光電探測(cè)結(jié)構(gòu)中的光電探測(cè)層之間通過(guò)一空氣層隔離。
5.如權(quán)利要求4所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器中還包括一密閉抗輻射容器，各光電探測(cè)結(jié)構(gòu)置于所述密閉抗輻射容器中。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
