[發明專利]一種溫度補償的電流產生電路有效
| 申請號： | 201711381800.2 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108170198B | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 陳丹鳳 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流產生電路 溫度補償 運算放大器 溫度系數 電阻 負反饋作用 端電壓 反相輸入 基礎元件 穩定電流 減小 電路 相抵 | ||
1.一種溫度補償的電流產生電路，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、電阻及運算放大器；其中：
所述第一MOS管的源極接收第一電源電壓；
所述第一MOS管的柵極和漏極，與所述第二MOS管的源極和所述運算放大器的反相輸入端相連；
所述第二MOS管的柵極和漏極，與所述電阻的一端相連；
所述電阻的另一端與所述運算放大器的同相輸入端及所述第三MOS管的漏極相連；
所述第三MOS管的柵極與所述運算放大器的輸出端相連；
所述第三MOS管的源極接收第二電源電壓；
所述第一MOS管和所述第二MOS管之間的電壓通過所述運算放大器的負反饋作用加到所述電阻上，且所述第一MOS管和所述第二MOS管之間的電壓的溫度系數與所述電阻的溫度系數相抵；
所述第一MOS管和所述第二MOS管之間的電壓的計算公式為：
VC＝V1/2－[nkln(a/b)/2q]T；
其中，VC為所述第一MOS管和所述第二MOS管之間的電壓，V1為所述第一電源電壓，n是一個和偏置電壓相關的修正因子，k是波爾茲曼常數，q是電子的電量，a/b是所述第二MOS管與所述第一MOS管的比值，T是溫度。
2.根據權利要求1所述的溫度補償的電流產生電路，其特征在于，所述第一MOS管與所述第二MOS管均工作在亞閾值區。
3.根據權利要求1所述的溫度補償的電流產生電路，其特征在于，所述第一電源電壓不隨溫度變化，所述第二MOS管與所述第一MOS管的比值a/b可調，以實現所述第一MOS管和所述第二MOS管之間的電壓的溫度系數與所述電阻的溫度系數相抵。
4.根據權利要求3所述的溫度補償的電流產生電路，其特征在于，所述第二MOS管與所述第一MOS管的比值a/b的計算公式為：
a/b＝(W2/L2)/(W1/L1)；
其中，W1是第一MOS管的寬，L1是第一MOS管的長，W2是第二MOS管的寬，L2是第二MOS管的長。
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