[發(fā)明專利]一種電池供電系統(tǒng)深度休眠控制裝置及方法

有效

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• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN107942821B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設計）人: 吳水源;彭穎;劉宇;張明宇
• 申請（專利權）人: 武漢瑞納捷電子技術有限公司
• 主分類號: G05B19/042
• 分類號: G05B19/042
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 趙勍毅

技術領域

本發(fā)明涉及有源卡通信系統(tǒng)的低功耗控制裝置，尤其涉及一種電池供電系統(tǒng)深度休眠控制裝置及方法。

背景技術

隨著內置鋰電池的雙界面有源卡(RFID卡、CPC卡等)的拓展使用，其內置電池的使用效率成為該類卡生產以及生命周期的技術瓶頸。出于安全性和密封性的考慮，該類卡一般采用超聲封膠措施，無法更換電池，因此對該類卡的內置電池有效使用管理，能夠延長卡片生命周期的問題顯得尤為重要，但是此類卡在使用過程中存在長時間不使用的空閑期，而針對該空閑期無法實現低電流或無電流消耗，不能滿足市場需求。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足，提供一種電池供電系統(tǒng)深度休眠控制裝置及方法，使得系統(tǒng)在長時間不工作時進入深度休眠狀態(tài)，從而降低電能消耗、延長系統(tǒng)工作時間。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案。

一種電池供電系統(tǒng)深度休眠控制裝置，其包括有射頻讀頭、射頻芯片、第一升壓開關電路、主控芯片和第二升壓開關電路，其中：所述射頻讀頭用于向射頻芯片輻射場強信號，以及寫入或擦除射頻芯片的EEPROM中的上掉電標志位；所述第一升壓開關電路的輸入端連接于電池，所述第一升壓開關電路的輸出端連接于主控芯片的電源端，所述第一升壓開關電路的控制端連接于所述射頻芯片和主控芯片；所述第二升壓開關電路的輸入端連接于第一升壓開關電路的輸出端，所述第二升壓開關電路的輸出端連接于射頻芯片的電源端，所述第二升壓開關電路的控制端連接于主控芯片，所述主控芯片的數據端與射頻芯片的數據端相連接；所述射頻芯片用于接收場強信號并控制第一升壓開關電路導通，使得主控芯片上電，所述主控芯片用于：在上電后向第一升壓開關電路發(fā)送電信號，以令所述第一升壓開關電路保持導通；當所述射頻讀頭停止向射頻芯片輻射場強信號時，所述主控芯片控制第二升壓開關電路導通，并在射頻芯片上電后，讀取所述射頻芯片的EEPROM中的上掉電標志位；對上掉電標志位進行判斷，若上掉電標志位置起，則所述主控芯片控制第一升壓開關電路保持導通并將第二升壓開關電路關斷，若上掉電標志位未置起，則控制第一升壓開關電路關斷，該主控芯片掉電而進入深度休眠狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述射頻讀頭為13.56MHz射頻讀頭。

優(yōu)選地，所述射頻芯片與第一升壓開關電路之間設有第一二極管，所述第一二極管的陽極連接于射頻芯片，所述第一二極管的陰極連接于第一升壓開關電路的控制端。

優(yōu)選地，所述主控芯片與第一升壓開關電路之間設有第二二極管，所述第二二極管的陽極連接于主控芯片，所述第二二極管的陰極連接于第一升壓開關電路的控制端。

優(yōu)選地，所述主控芯片為單片機。

優(yōu)選地，所述射頻芯片為雙界面芯片。

一種電池供電系統(tǒng)深度休眠控制方法，該方法基于一裝置實現，所述裝置包括有射頻讀頭、射頻芯片、第一升壓開關電路、主控芯片和第二升壓開關電路，所述第一升壓開關電路的輸入端連接于電池，所述第一升壓開關電路的輸出端連接于主控芯片的電源端，所述第一升壓開關電路的控制端連接于所述射頻芯片，所述第二升壓開關電路的輸入端連接于第一升壓開關電路的輸出端，所述第二升壓開關電路的輸出端連接于射頻芯片的電源端，所述第二升壓開關電路的控制端和第一升壓開關電路的控制端分別連接于主控芯片，所述主控芯片的數據端與射頻芯片的數據端相連接，所述方法包括如下步驟：步驟S1，所述射頻讀頭用于向射頻芯片輻射場強信號；步驟S2，所述射頻芯片接收場強信號并控制第一升壓開關電路導通；步驟S3，所述主控芯片上電啟動，向第一升壓開關電路發(fā)送電信號，以令所述第一升壓開關電路保持導通；步驟S4，所述射頻讀頭利用所述場強信號寫入或擦除射頻芯片的EEPROM中的上掉電標志位；步驟S5，當所述射頻讀頭停止向射頻芯片輻射場強信號時，所述主控芯片控制第二升壓開關電路導通；步驟S6，所述射頻芯片上電，所述主控芯片讀取所述射頻芯片的EEPROM中的上掉電標志位，并對上掉電標志位進行判斷：若上掉電標志位置起，則執(zhí)行步驟S7，若上掉電標志位未置起，則執(zhí)行步驟S8；步驟S7，所述主控芯片控制第一升壓開關電路保持導通并將第二升壓開關電路關斷；步驟S8，所述主控芯片控制第一升壓開關電路關斷，該主控芯片掉電而進入深度休眠狀態(tài)。

優(yōu)選地，所述步驟S8中，若上掉電標志位未置起，所述主控芯片延時1秒后控制第一升壓開關電路關斷。

優(yōu)選地，所述步驟S7之后還包括：所述主控芯片間隔1小時控制第二升壓開關電路導通，并重新執(zhí)行步驟S6。

優(yōu)選地，所述第一升壓開關電路和第二升壓開關電路均由高電平信號控制導通。