[發(fā)明專利]一種采用納米顆粒制備CZTS薄膜的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711378452.3 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108039381A | 公開(公告)日: | 2018-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張險峰;陳慶武;張成 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L31/032 | 分類號: | H01L31/032 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 肖平安 |
| 地址: | 528400 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 采用 納米 顆粒 制備 czts 薄膜 方法 | ||
本發(fā)明公開一種采用納米顆粒制備CZTS薄膜的方法,其通過濕法球磨的方式,采用了沒有任何毒性的溶劑來制備CZTS的納米顆粒溶液。采用過濾及離心分離的方式來獲得僅僅含有CZTS納米顆粒的溶液。通過采用合適的球磨時間,溶劑種類及離心時間獲得了納米顆粒生產(chǎn)效率最高的配方。這一納米顆粒之后被用來制備CZTS前驅(qū)膜。之后這一前驅(qū)膜被用于硫氣氛的高溫退火。CZTS薄膜晶粒尺寸及晶向都得到了有效的改善。薄膜中硫元素的比例也超過了50%。通過采用X射線衍射及拉曼譜發(fā)現(xiàn)薄膜中沒有二次相。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及CZTS薄膜領(lǐng)域技術(shù),尤其是指一種采用納米顆粒制備CZTS薄膜的方法。
背景技術(shù)
最近,CZTS材料受到了越來越多的關(guān)注。因其具有低成本,無毒,組成元素儲量豐富而成為非常有希望的薄膜光伏器件的吸收層材料。同時,通過調(diào)整薄膜種硫元素和硒元素的比例,可以調(diào)整材料的禁帶寬度。CZTS區(qū)分于其它太陽電池材料的一個非常重要的優(yōu)點是它非常適用于采用非真空的方法來獲得高轉(zhuǎn)換效率。目前CZTS世界最高轉(zhuǎn)換效率是12.6%,它是一種包括劇毒溶劑聯(lián)氨的純?nèi)芤旱姆椒āD壳埃槍ZTS薄膜的報道有很多,包括真空方法的濺射,共蒸以及非真空方法。同真空方法相比,非真空方法因價格低廉,生產(chǎn)效率高而廣為人所知。在非真空方法中,轉(zhuǎn)換效率最高的CZTS薄膜是由原子前驅(qū)膜溶液或者納米顆粒懸浮液來制備的。盡管此類方法因工藝簡單,價格低廉,方便大面積化,他們受限于有毒溶劑或有機金屬的使用,使其不能進行大規(guī)模的生產(chǎn)。特別是使用聯(lián)氨的情況下,需要整個薄膜的準備過程都要在惰性氣體環(huán)境中進行。因此,這種方法很難做到低成本和大面積化。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失,其主要目的是提供一種采用納米顆粒制備CZTS薄膜的方法,其能有效解決現(xiàn)有之CZTS薄膜制備方法成本高的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下之技術(shù)方案:
一種采用納米顆粒制備CZTS薄膜的方法,包括有以下步驟:
(1)將50g 1mm直徑的研磨球和13.6g 50微米的研磨球同1g CZTS粉末進行混合,倒入研磨容器內(nèi);
(2)向研磨容器內(nèi)滴入3ml酒精;
(3)將研磨容器進行密封;
(4)將研磨容器固定在球磨容器上;
(5)進行36小時順時針及逆時針方向旋轉(zhuǎn)球磨,同時球磨容器主動,帶動研磨容器公轉(zhuǎn);(6)向25微米孔徑過濾網(wǎng)上滴入3mL 2-(2-乙氧基乙烷);
(7)將研磨完的溶液進行過濾,獲得溶液;
(8)用酒精和2-(2-乙氧基乙烷)將溶液進行稀釋;
(9)將溶液進行超聲處理;
(10)將溶液進行低速離心處理,防止顆粒凝結(jié),處理完成后去除沉淀物;
(11)將溶液進行高速離心處理,防止顆粒凝結(jié),處理完成后去除沉淀物;
(12)在溶液中加入適量甲醇,并進行超聲波處理;
(13)將溶液進行高速離心處理,使溶液中懸浮顆粒完全沉淀,去除溶劑;
(14)將沉淀物中加入酒精,進行超聲處理;
(15)將溶液進行離心處理,使溶液中懸浮顆粒完全沉淀,去除溶劑;
(16)重復(fù)步驟(14)-(15)三次,獲得純納米顆粒;
(17)稱取納米顆粒的重量,并加入適量酒精進行超聲處理,獲得CZTS納米顆粒溶液;
(18)采用旋轉(zhuǎn)涂覆的方法在覆Mo的鈉鈣玻璃上噴涂CZTS前驅(qū)膜;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





