[發明專利]一種硅片清洗方法

在審

• 申請號: 201711378376.6
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108269733A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 董剛強;郁操;李沅民;徐希翔
• 申請（專利權）人: 君泰創新（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 陳丹;蘇蕾

1.一種硅片清洗方法，所述方法包括：

對硅片進行初級清洗；

采用HF溶液對經過初級清洗的硅片進行清洗；

將經過HF溶液清洗后的硅片放入一定溫度的純水中，放置一段時間；以及

將硅片從純水中取出，采用DHF溶液對硅片進行清洗。

2.根據權利要求1所述的硅片清洗方法，其中，所述HF溶液的體積百分比為0.1～10％，采用HF溶液清洗的浸泡時間為1-10min。

3.根據權利要求1所述的硅片清洗方法，其中，所述純水為電阻率＞18MΩ·cm的超純水，純水的溫度為60-90℃，硅片在純水中放置的時間為10-60分鐘。

4.根據權利要求1所述的硅片清洗方法，在采用HF溶液清洗后，將硅片放入純水中前，所述方法還包括：

采用強氧化劑溶液對硅片進行清洗；以及

采用HF溶液對經過強氧化劑溶液清洗后的硅片進行清洗。

5.根據權利要求4所述的硅片清洗方法，其中，重復進行采用強氧化劑溶液清洗和采用HF溶液清洗的兩個步驟，任選地，重復次數為1-10次。

6.根據權利要求4或5所述的硅片清洗方法，其中，所述強氧化劑溶液為HNO₃和H₂O₂的混合溶液，混合溶液中HNO₃：H₂O₂的體積比為3:1-8:1，混合溶液的溫度為65-90℃，強氧化劑溶液清洗的浸泡時間為15-60分鐘。

7.根據權利要求4或5所述的硅片清洗方法，其中，采用強氧化劑溶液清洗之后采用的HF溶液的體積百分比為0.1～10％，采用HF溶液清洗的浸泡時間為1-10min。

8.根據權利要求1所述的硅片清洗方法，其中，所述DHF溶液為HF與HCl的混合溶液，混合溶液中HF的體積百分比為0.5-5％，HCl的體積百分比為3-10％，DHF溶液清洗的浸泡時間為5-30分鐘。

9.根據權利要求1所述的硅片清洗方法，其中，對硅片進行初級清洗的步驟為：

采用SC2溶液對硅片進行清洗；

采用CP溶液對硅片進行清洗；以及

采用SC1溶液對硅片進行清洗。

10.根據權利要求9所述的硅片清洗方法，其中，所述SC2溶液為HCl與雙氧水的混合溶液，混合溶液中HCl：雙氧水：水的體積比為1:1:7-1:2:7，SC2溶液清洗的浸泡時間為5-20min。

11.根據權利要求9所述的硅片清洗方法，其中，所述CP溶液為HF與HNO₃的混合溶液，混合溶液中HF：HNO₃的體積比為0.1:100-2:100，CP溶液清洗的浸泡時間為1-5min。

12.根據權利要求9所述的硅片清洗方法，其中，所述SC1溶液為氨水與雙氧水的混合溶液，混合溶液中氨水：雙氧水：水的體積比為1:1:7-1:2:7，SC2溶液清洗的浸泡時間為5-20min。