[發明專利]一種太陽能電池片的制造工藝在審
| 申請號: | 201711377997.2 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108054244A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 陳德榜 | 申請(專利權)人: | 溫州海旭科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市經*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 制造 工藝 | ||
本發明涉及太陽能技術領域,尤其是一種太陽能電池片的制造工藝,包括以下步驟:S1、檢測;S2、制絨;S3、擴散制結;S4、去磷硅玻璃;S5、鍍膜;S6、絲網印刷。本發明提供了一種新型太陽能電池片的制造工藝,簡化了生產流程,易于實現,且能夠有效提高生產效率,有助于太陽能產業發展。
技術領域
本發明涉及太陽能技術領域,尤其涉及一種太陽能電池片的制造工藝。
背景技術
隨著社會和經濟的飛速發展,能源的需要日益增加,化石能源的日趨枯竭和給生態環境造成的污染,嚴重威脅著社會和經濟的可持續發展。因此,迫切需要采用可再生能源進行替代。太陽能作為一種取之不盡,用之不竭的綠色可再生能源,已經在世界范圍內得到了廣泛的關注。
太陽能電池原理主要是以半導體材料硅為基體,利用擴散工藝在硅晶體中摻入雜質:當摻入硼、磷等雜質時,硅晶體中就會存在著一個空穴,形成n型半導體;同樣,摻入磷原子以后,硅晶體中就會有一個電子,形成p型半導體,p型半導體與n型半導體結合在一起形成pn結,當太陽光照射硅晶體后,pn結中n型半導體的空穴往p型區移動,而p型區中的電子往n型區移動,從而形成從n型區到p型區的電流,在pn結中形成電勢差,這就形成了太陽能電池。
現有技術中的太陽能電池片生產工藝較為繁瑣,效率較低,從而增加了電池片的成本。
發明內容
本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點,而提出的一種太陽能電池片的制造工藝。
為了實現上述目的,本發明采用了如下技術方案:
設計一種太陽能電池片的制造工藝,包括以下步驟:
S1、檢測:對需要加工的硅片進行清洗和檢測,去除不合格硅片;
S2、制絨:將經過檢測的合格硅片放入堿性溶液中進行表面制絨處理;
S3、擴散制結:
A1、將制絨后的硅片放入擴散爐中,擴散爐中溫度維持800-815℃,持續8min,同時向擴散爐中通入大氮、氧氣和小氮的混合氣體,小氮流量為3-4L/min,氧氣流量為1-1.5L/min,大氮流量為8-10L/min;
A2、將擴散爐內的溫度升高至825℃,之后保溫10-15min,之后通入大氮、氧氣和小氮的混合氣體,混合氣體流量為15-20L/min,氧氣占混合氣體的體積比為25-35%;
A3、在10min內使擴散爐中溫度降低至750℃,在此過程中通入大氮、氧氣的混合氣體,氧氣占混合氣體的體積比為18-27%;
S4、去磷硅玻璃:將擴散制結后的硅片放入氫氟酸中浸泡,以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃;
S5、鍍膜:通過PECVD設備在硅片表面制備減反射膜;
S6、絲網印刷:將鍍有減反射膜的硅片采用絲網印刷的方式在硅片的上下表面印制正、負電極;
S7、烘干及燒結。
優選的,清洗過程為將硅片先放入氫氧化鈉溶液中浸泡10-12min、之后放入硝酸溶液中浸泡12-15min、之后放入氫氟酸溶液中浸泡5-8min。
優選的,氫氧化鈉溶液濃度為6%、硝酸溶液濃度為1%、氫氟酸溶液濃度為1.2%。
優選的,鍍減反射膜的厚度為70-75nm。
優選的,堿性制絨溶液為NaOH、Na2SiO3、IPA的混合溶液。
優選的,擴散制結中,采用的擴散源為POCl3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于溫州海旭科技有限公司,未經溫州海旭科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711377997.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種多功效漢麻香皂及其制備工藝
- 下一篇:一種雙氯芬酸鈉雜質B的合成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





