[發(fā)明專利]一種開關(guān)穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711377937.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108566073B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊茂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 晶晨半導(dǎo)體(上海)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M1/00 | 分類號(hào): | H02M1/00 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)張江*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 開關(guān) 穩(wěn)壓器 瞬態(tài) 響應(yīng) 電路 | ||
1.一種開關(guān)穩(wěn)壓器的瞬態(tài)響應(yīng)電路,其特征在于,包括:
降壓模塊,包括:
用于接收輸入信號(hào)的一信號(hào)輸入端和用于輸出輸出信號(hào)的一信號(hào)輸出端;
主電路,串聯(lián)于所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間;
一第一MOS管和一第二MOS管,用于控制所述主電路的導(dǎo)通;
第一采集模塊,連接所述信號(hào)輸出端,以采集所述信號(hào)輸出端的所述輸出信號(hào),并根據(jù)所述輸出信號(hào)輸出一采集信號(hào);
第二采集模塊,連接所述信號(hào)輸出端,以采集所述信號(hào)輸出端的所述輸出信號(hào),并根據(jù)所述輸出信號(hào)輸出斜坡信號(hào);
第三采集模塊,用于采集所述降壓模塊中所述主電路上的工作電流并輸出一反饋信號(hào);
比較模塊,包括:
一正相輸入端,與所述第一采集模塊連接,用于接收所述采集信號(hào);
一第一反相輸入端,與所述第二采集模塊連接,用于接收所述斜坡信號(hào);
一第二反相輸入端,與所述第三采集模塊連接,用于接收所述反饋信號(hào);
一比較輸出端;
所述比較模塊將所述斜坡信號(hào)和所述反饋信號(hào)的疊加信號(hào)與所述采集信號(hào)進(jìn)行比較,并通過所述比較輸出端輸出一比較信號(hào);
脈寬調(diào)制模塊,分別連接所述比較輸出端、所述第一MOS管和所述第二MOS管,以接收并根據(jù)所述比較信號(hào)生成對(duì)應(yīng)占空比的控制信號(hào)控制所述第一MOS管和所述第二MOS管;
其中,所述第三采集模塊于采集到的所述主電路上的工作電流大于一預(yù)設(shè)值時(shí),輸出的所述反饋信號(hào)與所述主電路上的工作電流的比值等于1;所述第三采集模塊于采集到的所述主電路上的工作電流小于所述預(yù)設(shè)值時(shí),輸出的所述反饋信號(hào)與所述主電路上的工作電流的比值小于1;
所述第一采集模塊包括一分壓?jiǎn)卧鸵徽`差放大單元,所述分壓?jiǎn)卧B接在所述信號(hào)輸出端和所述誤差放大單元之間,所述分壓?jiǎn)卧糜趯⒉杉乃鲚敵鲂盘?hào)進(jìn)行分壓處理;
所述誤差放大單元用于將進(jìn)行分壓處理后的所述輸出信號(hào)與一預(yù)設(shè)參考信號(hào)進(jìn)行比較后放大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)響應(yīng)電路,所述預(yù)設(shè)值為所述主電路上的工作電流的額定值的25%~95%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的瞬態(tài)響應(yīng)電路,其特征在于,所述預(yù)設(shè)值為所述主電路上的工作電流的額定值的50%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)響應(yīng)電路,其特征在于,所述第一采集模塊中還包括一穩(wěn)壓?jiǎn)卧龇€(wěn)壓?jiǎn)卧c所述誤差放大單元的輸出口連接,以對(duì)所述誤差放大單元產(chǎn)生的放大后的信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)壓形成所述采集信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的瞬態(tài)響應(yīng)電路,其特征在于,所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧ǖ谝谎a(bǔ)償電容、第二補(bǔ)償電容和補(bǔ)償電阻;
所述第一補(bǔ)償電容與所述補(bǔ)償電阻串聯(lián)后與所述第二補(bǔ)償電容并聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)響應(yīng)電路,其特征在于,所述降壓模塊中包括串聯(lián)在所述主電路中的感應(yīng)電阻;
所述第三采集模塊采集所述感應(yīng)電阻上的感應(yīng)電壓,并將所述感應(yīng)電壓乘以一反饋系數(shù)后生成所述反饋信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)響應(yīng)電路,其特征在于,所述第一MOS管和所述第二MOS管均為NMOS管。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
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