[發(fā)明專利]一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711377902.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108054108B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭振;王春青;孔令超;劉威 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;C25D5/02 |
| 代理公司: | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 快速 局域 沉積 引線 方法 | ||
1.一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:所述方法具體步驟如下:
步驟一:選擇待鍵合的引線材料;
步驟二:對(duì)步驟一所選擇的引線材料進(jìn)行表面改性;
步驟三:將表面改性后的引線材料,通過(guò)微納操作平臺(tái)放置于焊盤表面,保證引線兩端位于焊盤表面的中心處,并保證引線兩端與焊盤表面有良好的接觸;
步驟四:選擇局域電沉積精密移液滴加管口徑,滴加管口孔徑的選擇范圍為大于需加工焊盤面積的1/5,小于焊盤面積的2/3;根據(jù)電沉積金屬種類選擇局域電沉積溶液滴加管內(nèi)陽(yáng)極金屬種類,確保電鍍陰極端探針與焊盤良好接觸;
步驟五:通過(guò)局域電沉積方法在焊盤表面形成完全包覆引線材料的金屬鍍層;
步驟六:完成所有焊盤表面電沉積引線鍵合后,對(duì)整體器件進(jìn)行清洗,除去表面殘留電沉積溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:所述的引線材料為碳基引線材料、碳表面增強(qiáng)金屬基引線材料或碳復(fù)合金屬基引線材料,
所述的碳基引線材料為碳纖維、碳納米管纖維或石墨烯片層;所述的碳表面增強(qiáng)金屬基引線材料為表面定向生長(zhǎng)碳納米管金屬引線、表面定向生長(zhǎng)石墨烯金屬引線或表面包覆石墨烯金屬箔片;所述的碳復(fù)合金屬基引線材料為碳納米管復(fù)合金屬引線或石墨烯復(fù)合金屬引線;所述的金屬均為銅、鎳、金或鋁中的一種。
3.據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:步驟二中,所述的表面改性包括表面活性劑吸附改性、激光及等離子刻蝕改性或表面納米化改性。
4.據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:步驟五具體為:電沉積溶液通過(guò)安裝在微納操作平臺(tái)上的精密移液器滴加在焊盤與引線材料的結(jié)合處,保證移液器管頭沒于焊盤表面電沉積溶液液面之下,移液器滴加電沉積溶液應(yīng)完全包覆焊盤與引線結(jié)合處,同時(shí)保證電沉積溶液面積應(yīng)小于整個(gè)焊盤面積的三分之二。
5.利要求4所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:通過(guò)向電沉積溶液中添加表面活性劑或改變焊盤表面結(jié)構(gòu),使得電沉積溶液在焊盤表面的潤(rùn)濕角大于45°,保證電沉積溶液在焊盤表面保持良好的液滴狀態(tài)。
6.據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:所述的精密移液器內(nèi)放置沉積金屬片或金屬絲,作為后續(xù)電沉積加工的陽(yáng)極材料。
7.據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:使用精密電鍍電源進(jìn)行金屬沉積引線鍵合時(shí),其中電源陽(yáng)極端能夠與精密移液器滴加管內(nèi)放置的沉積金屬片或金屬絲連接,電源陰極端探針能夠與金屬焊盤相連接,同時(shí)保證陰極端金屬探針不與電沉積溶液接觸;電沉積氣氛根據(jù)沉積金屬的不同而不同,即
當(dāng)使用水基溶液沉積銅、鎳、金時(shí),無(wú)需保護(hù)氣氛;當(dāng)使用離子液體沉積鋁金屬時(shí),需在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行。
8.據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:步驟五中,通過(guò)電沉積法在焊盤表面進(jìn)行金屬電沉積,電沉積金屬層要完全覆蓋引線材料,電沉積電流密度為0.1~5 A/dm2,電沉積時(shí)間在10~600s之間。
9.權(quán)利要求1所述的一種基于快速局域電沉積的引線鍵合方法,其特征在于:步驟五中,根據(jù)加工芯片與電路板的結(jié)構(gòu)和焊盤的位置,進(jìn)行逐一單個(gè)焊盤電沉積引線鍵合,或者多個(gè)焊盤同時(shí)電沉積進(jìn)行引線鍵合;所述的多個(gè)焊盤同時(shí)進(jìn)行電沉積引線鍵合時(shí),需根據(jù)加工需要選擇多個(gè)微納操作平臺(tái)、精密移液滴加裝置和精密電鍍電源;所述的單個(gè)焊盤電沉積引線鍵合完成后,精密移液滴加裝置吸取剩余在焊盤上的電沉積溶液,移動(dòng)到下一焊盤進(jìn)行加工;全部焊盤完成電沉積引線鍵合后,對(duì)芯片和電路板進(jìn)行整體清洗,去除殘留的電沉積溶液殘留,對(duì)清洗后的芯片和電路板進(jìn)行干燥處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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