[發明專利]反蛋白石結構防偽轉印膜

有效

• 申請號: 201711377678.1
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108099435B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 葉常青
• 申請（專利權）人: 蘇州中科納福材料科技有限公司
• 主分類號: B41M5/03
• 分類號: B41M5/03;B41M5/025;B41M3/14
• 代理公司: 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 葉棟

本發明涉及一種功能性反蛋白石結構防偽轉印膜，屬于反蛋白石結構的硫化銀納米團簇光子晶體在防偽領域的具體應用。本發明的防偽轉印膜，包括組裝基底、轉印層，其特征在于，還包括硫化銀納米團簇光子晶體層；其中，所述光子晶體層位于所述組裝基底與轉印層之間，所述光子晶體層與轉印層的相同位置上帶有相同的立體外觀防偽圖案。本發明結合了硫化銀量子點和光子晶體的性質，制備了具有防偽性能的反蛋白石結構的硫化銀納米團簇光子晶體轉印膜。由硫化銀納米團簇組裝成的光子晶體相較于硫化銀量子點具有更加優良的性能：熒光性能得到增強，且激發峰藍移至700nm。受紫光輻照后，呈現出帶有光澤感的紅色。

技術領域

本發明涉及一種功能性反蛋白石結構防偽轉印膜，屬于反蛋白石結構的硫化銀納米團簇光子晶體在防偽領域的具體應用。

背景技術

光子晶體是指介電常數(折射率)不同的材料在空間周期性排列構成的。光子晶體最本質的特征是光子禁帶和光子局域。光子禁帶可以控制光在其中的傳播，而且缺陷態的引入可以影響光子禁帶的性質，是光電集成、光子集成、光通信的一種關鍵性基礎材料。

近年來，隨著人們對半導體材料微觀尺寸和表面修飾的調控，制備出的硫化銀量子點，在近紅外區存在較高的熒光強度。硫化銀量子點具有以下共同的優良性質：硫化銀量子點制備方法簡單，原料易得，從而使生產成本大大降低；其具有良好的生物相容性和低毒性，結合其良好的發光性質可以應用在生物細胞成像；總體來說，硫化銀量子點在能源相關器件、環境相關應用、生物相關領域以及復合材料相關領域。

將硫化銀量子點和光子晶體結合，使硫化銀量子點轉變成周期性結構的固態，更有利于后處理。不同的周期性結構具有不同的光子帶隙。硫化銀量子點作為一種光電材料，具有光子帶隙后就具有了調控光的性質。將硫化銀量子點和光子晶體結合制備出不同帶隙的硫化銀量子點光子晶體，不僅很好的繼承了硫化銀量子點原有的優良性質，同時通過光子晶體帶隙的調控，使硫化銀量子點光子晶體表現出相較于硫化銀量子點更加優良的性質，如熒光性能的增強，增強光電化學過程中的電子轉移效率等。

發明內容

本發明的目的在于提供一種反蛋白石結構防偽轉印膜。

為達到上述目的，本發明提供如下技術方案：一種反蛋白石結構防偽轉印膜，包括組裝基底、硫化銀納米團簇光子晶體層、轉印層；其中，光子晶體層位于組裝基底與轉印層之間，光子晶體層與轉印層上壓印有相同的立體外觀的防偽圖案。

進一步地，本發明的硫化銀納米團簇光子晶體層為密堆積結構，密堆積結構使本發明的光學功能材料發出熒光，并具有光澤。

進一步地，硫化銀納米團簇的粒徑為180-300nm，使得光子晶體層帶有波長為400-900nm的近紅外、可見光和紫光的光澤。

進一步地，組裝基底為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚己內酯薄膜。組裝基底選用耐強堿、抗氧化、化學穩定性較好的聚合物薄膜，以避免在后續制備反蛋白石結構硫化銀納米團簇光子晶體層的步驟中被模板去除劑腐蝕。

進一步地，轉印層由UV樹脂前驅物制成。

進一步地，本發明提供的轉印膜還包括介于組裝基底與光子晶體層之間的離型層。離型層用以調整組裝基底的界面性能。當光子晶體乳液在離型層表面或組裝基底表面形成光子晶體層后，可在光子晶體層表面具有黏性，并以紫外線交聯方式形成有外觀立體圖案面。同時，通過具黏性的離型層，使得光子晶體層與承印材料之間具有良好的密著性，且固化后的外觀立體圖案面具有良好的耐磨性、抗刮性，進而得到本發明的轉印膜。

進一步地，離型層的表面張力系數介于28-58dyn/cm，厚度介于2-20μm。使得離型層與光子晶體層之間的結合力大于離型層與組裝基底之間的結合力，以便在后續的轉印過程中移去組裝基底。