[發(fā)明專利]基于磁致壓電勢的晶體管和磁傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711377620.7 | 申請日： | 2017-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN109244132B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 翟俊宜;劉玉東 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京納米能源與系統(tǒng)研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 陸文超;肖冰濱 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 壓電 晶體管 傳感器 | ||
1.一種基于磁致壓電勢晶體管，其特征在于，包括基底和設(shè)置在所述基底上的鐵電晶體管，其中，所述基底由磁致伸縮材料構(gòu)成；所述鐵電晶體管中包括壓電層；
所述鐵電晶體管包括層疊設(shè)置的下列各層：設(shè)置在所述基底上的下電極層、壓電層、上電極層、絕緣層和半導(dǎo)體層，以及設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的源極和漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的基于磁致壓電勢晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料為氮化鎵或硅的薄膜或塊體；
或者，所述半導(dǎo)體層的材料為單層分子層二維半導(dǎo)體材料，或者少于100層分子層的二維半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的基于磁致壓電勢晶體管，其特征在于，所述二維半導(dǎo)體材料包括二硫化鉬、二硒化鎢或石墨烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的基于磁致壓電勢晶體管，其特征在于，所述壓電層的材料為石英、鋯鈦酸鉛、鈦酸鋇或鈮鎂酸鉛。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁致壓電勢晶體管，其特征在于，所述基底的材料是鋱鏑鐵、鎳膜或金屬玻璃。
6.一種磁傳感器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)中所述的基于磁致壓電勢晶體管。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
