[發明專利]基板處理設備

有效

• 申請號: 201711376999.X
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108206151B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 金永勛;韓镕圭;金大淵;張顯秀;李政鎬
• 申請（專利權）人: ASM知識產權私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

1.一種基板處理設備，包括：

包括排放路徑的主體部分；

連接到所述主體部分的氣體供應單元；

從所述主體部分延伸的第一分隔件；

第二分隔件，所述第二分隔件從所述主體部分延伸并且布置在所述氣體供應單元與所述第一分隔件之間；以及

被構造為與所述第一分隔件表面密封的基板支撐單元，

其中所述第二分隔件被構造為在所述基板支撐單元與所述第一分隔件表面密封時保持與基板支撐單元的非接觸狀態，

其中所述第一分隔件與所述第二分隔件之間的第一區域以及所述氣體供應單元與所述第二分隔件之間的第二區域連接到所述排放路徑，

其中所述主體部分還包括：

在所述第一分隔件和所述第二分隔件之間延伸的第一向上排放通道，所述第一向上排放通道將位于所述第一分隔件與所述第二分隔件之間的所述第一區域與位于所述氣體供應單元上方的所述排放路徑連接，

其中所述第一向上排放通道通過貫穿所述主體部分的第一排放孔與所述排放路徑連通，

在所述氣體供應單元和所述第二分隔件之間延伸的第二向上排放通道，所述第二向上排放通道將位于所述氣體供應單元和所述第二分隔件之間的第二區域與位于所述氣體供應單元上方的所述排放路徑連接，

其中所述第二向上排放通道通過貫穿所述主體部分的第二排放孔與所述排放路徑連通，

其中所述第一向上排放通道和所述第二向上排放通道兩者被布置在所述基板支撐單元上方，并且

其中所述第二分隔件被固定至所述主體部分，并且在所述第一向上排放通道和所述第二向上排放通道之間延伸，

其中所述基板處理設備被配置成使氣體從所述氣體供應單元與所述基板支撐單元之間的反應空間流向所述第一區域和所述第二區域二者。

2.根據權利要求1所述的基板處理設備，

其中當所述第二分隔件被保持在與所述基板支撐單元的非接觸狀態時，在所述第二分隔件與所述基板支撐單元之間形成第一間隙，

其中，在所述第二分隔件與所述氣體供應單元之間形成有第二間隙，

其中所述第一間隙中的氣體向上排放通過所述第一向上排放通道，并且

其中所述第二間隙中的氣體向上排放通過所述第二向上排放通道。

3.根據權利要求1所述的基板處理設備，

其中所述第一分隔件從所述主體部分突出穿過所述基板支撐單元，并且

其中所述第二分隔件從所述主體部分朝向所述基板支撐單元突出。

4.根據權利要求1所述的基板處理設備，還包括布置在所述氣體供應單元上的絕緣板，

其中所述第二區域經由所述絕緣板與所述主體部分之間的空間與所述第二向上排放通道連通。

5.根據權利要求4所述的基板處理設備，其中，圍繞所述絕緣板的邊緣形成所述第二向上排放通道。

6.根據權利要求5所述的基板處理設備，其中，所述絕緣板的所述邊緣包括凹陷表面，并且

所述第二區域經由所述凹陷表面與所述主體部分之間的空間與所述第二向上排放通道連通。

7.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，從所述第二區域到所述第二向上排放通道的路徑的方向改變至少兩次。

8.根據權利要求1所述的基板處理設備，還包括控制器，所述控制器被構造成執行一個周期至少一次，所述周期包括供應第一氣體的第一步驟和供應第二氣體的第二步驟。

9.根據權利要求1所述的基板處理設備，還包括控制器，所述控制器被構造為多次執行一個周期，所述周期包括供應源氣體的第一步驟，清除所述源氣體的第二步驟，供應反應氣體的第三步驟，以及清除所述反應氣體的第四步驟。

10.根據權利要求9所述的基板處理設備，其中，通過所述第一區域的所述第一排放孔和所述第二區域的所述第二排放孔向所述排放路徑分配和排放所述源氣體和所述反應氣體中的每一者。