[發明專利]SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器及其制備方法在審
| 申請號: | 201711376686.4 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN108088590A | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發明(設計)人: | 余煜璽;劉熠新;余洪哿 | 申請(專利權)人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | G01L1/14 | 分類號: | G01L1/14;G01L1/26 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非晶態 諧振腔 陶瓷 壓力傳感器 貼片天線 無線無源 壓力片 耦合槽 天線 陶瓷底座 陶瓷環片 耦合 金屬層 制備 空氣諧振腔 波導線 內表面 上表面 | ||
1.SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器,其特征在于設有非晶態SiCN陶瓷壓力片、非晶態SiCN陶瓷環片、非晶態SiCN陶瓷底座、貼片天線、耦合槽天線和空氣諧振腔;
所述非晶態SiCN陶瓷壓力片、非晶態SiCN陶瓷底座表面和非晶態SiCN陶瓷環片內表面涂有金屬層,金屬層形成諧振腔,貼片天線設在非晶態SiCN陶瓷壓力片頂部,耦合槽天線設在諧振腔上表面,諧振腔通過耦合槽天線與貼片天線耦合,貼片天線與共面波導線耦合。
2.如權利要求1所述SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器,其特征在于所述圓柱形非晶態SiCN陶瓷傳感元件的直徑為10~16mm,厚度為2~5mm。
3.如權利要求1所述SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器,其特征在于所述金屬層采用耐高溫金屬層,所述耐高溫金屬層的材料熔點大于1000℃,所述耐高溫金屬層的厚度為20~50μm。
4.如權利要求1~3所述SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)制備圓柱形非晶態SiCN陶瓷傳感元件
(1)制備SiCN陶瓷素坯:
a.將先驅體聚硅氮烷與光引發劑混合后,放入模具中進行紫外預交聯,得到淡黃色SiCN陶瓷素坯;或
b.將先驅體聚硅氮烷進行熱交聯,使其由液態的聚硅氮烷變為淡黃色固態的聚硅氮烷,球磨成粉末并經過壓制、等靜壓得到SiCN陶瓷素坯;或
c.將先驅體聚硅氮烷與光引發劑混合后,進行紫外交聯,球磨成粉末后,經過壓制、等靜壓得到SiCN陶瓷素坯;
(2)將SiCN陶瓷素坯在惰性氣體保護下熱解,再退火處理后,得到非晶態SiCN陶瓷傳感元件;
2)對非晶態SiCN陶瓷傳感元件進行處理,使其表面光滑且尺寸達到規定要求;
3)在非晶態SiCN陶瓷壓力片底座耦合槽天線位置處,貼上與耦合槽尺寸一致的聚酰亞胺膠帶后,涂上金屬漿料構成耦合槽天線,在非晶態SiCN陶瓷壓力片的頂部貼片天線位置處,用聚酰亞胺膠帶保護后,涂上金屬漿料構成貼片天線;在非晶態SiCN陶瓷底座上表面涂上金屬層漿料;在非晶態SiCN陶瓷環片內表面涂上金屬層漿料,非晶態SiCN陶瓷壓力片、非晶態SiCN陶瓷底座和非晶態SiCN陶瓷環片共同形成了諧振腔;然后再除掉聚酰亞胺膠帶,即得到有耦合槽天線、貼片天線的諧振腔;
4)完成金屬漿料的金屬化,并選用合適的粘結劑完成三個部分的粘結,最終得到非晶態SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器。
5.如權利要求4所述SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器的制備方法,其特征在于在步驟1)第(1)部分的a中,所述光引發劑為I819光引發劑;所述先驅體聚硅氮烷與I819光引發劑的混合比例,按質量比可為1︰(0.005~0.1);所述模具為聚二甲基硅氧烷模具,模具的直徑可為10~18mm,模具的高度可為3~6mm;所述紫外交聯的條件可為:紫外燈光照射下直接交聯,紫外燈的功率為250W,紫外光的中心波長為326nm,紫外交聯的時間可為0.25~2h。
6.如權利要求4所述SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器的制備方法,其特征在于在步驟1)第(1)部分的b中,所述熱交聯的溫度為80~450℃,熱交聯的時間為0.5~4.5h;所述粉末的粒徑可為0.1~2μm;所述壓制成型的壓力可為4~6MPa,保壓時間可為2min;所述等靜壓的壓力可為20~25MPa,保壓時間可為0.5h。
7.如權利要求4所述SiCN陶瓷無線無源諧振腔式壓力傳感器的制備方法,其特征在于在步驟1)第(2)部分中,所述惰性氣體采用氮氣或氬氣;所述熱解的溫度可為800~1000℃,熱解的時間可為1~8h;所述退火處理的溫度可為1000~1500℃,退火處理的時間可為1~8h;所制得的非晶態SiCN陶瓷傳感元件的密度為1.90~2.25g/cm
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