[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 201711372233.4
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108242450A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 金善賢;金漢錫;宋充鎬;全真珠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種圖像傳感器，包括：

第一基板，包括其中設置多個單位像素的器件區域、圍繞所述器件區域的第一剩余劃片道區域，并具有第一表面以及與所述第一表面相反的第二表面；

阻擋結構，穿透所述第一基板的所述第一剩余劃片道區域；

第一結構，包括第一導電膜和第一絕緣膜，所述第一基板的所述第一表面在所述第一結構上；

第二基板，包括面對所述第一剩余劃片道區域的第二剩余劃片道區域并具有前表面和后表面；以及

第二結構，在所述第二基板的所述前表面上，所述第二結構面對所述第一基板的所述第一表面，所述第二結構接合到所述第一結構，所述第二結構包括第二導電膜和第二絕緣膜。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中

所述第一基板包括在所述多個單位像素之間的器件隔離結構，

所述阻擋結構中的材料與所述器件隔離結構中的材料相同。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中在所述第一基板中所述阻擋結構的水平面與所述器件隔離結構的水平面相同。

4.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中所述阻擋結構和所述器件隔離結構每個是深溝槽隔離(DTI)。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述阻擋結構的與所述第一基板的所述第一表面共平面的寬度大于所述阻擋結構的與所述第一基板的所述第二表面共平面的寬度。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述阻擋結構的與所述第一基板的所述第一表面共平面的寬度小于所述阻擋結構的與所述第一基板的所述第二表面共平面的寬度。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中

所述第一基板包括在所述第一基板的所述第二表面處的多個濾色器，

所述第一基板包括分別在所述多個濾色器上的多個微透鏡。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其中所述圖像傳感器是背側照射圖像傳感器。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一剩余劃片道區域的面積等于所述第二剩余劃片道區域的面積。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，當從所述第一基板的所述第二表面上方看時，所述阻擋結構具有線形狀。

11.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，當從所述第一基板的所述第二表面上方看時，所述阻擋結構具有網格形狀。

12.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，當從所述第一基板的所述第二表面上方看時，所述阻擋結構具有不連續的線形狀。

13.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第二基板還包括其中設置多個邏輯器件的器件區域。

14.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中

所述第一基板包括通路，并且

所述第一導電膜和所述第二導電膜通過所述通路彼此電連接。

15.根據權利要求14所述的圖像傳感器，其中所述通路是穿通硅通路(TSV)。