[發明專利]一種多元磁控濺射的方法及裝置、制備金屬鋰復合電極的方法、制備電極的設備

有效

• 申請號: 201711370954.1
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108559961B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 張曉琨;稅烺
• 申請（專利權）人: 成都亦道科技合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 成都帝鵬知識產權代理事務所(普通合伙) 51265
• 代理人: 黎照西

1.一種多元磁控濺射的方法，該磁控濺射在磁控濺射腔內進行，所述磁控濺射腔具有多個靶材位，所述磁控濺射腔設定有多個通道，多個通道分別對多個靶材位上產生的原子進行引導并通過一匯流口，多種原子在匯流口處進行混合，其特征在于：該多元磁控濺射的方法包括以下步驟：

S1：在多個靶材位上安裝多個靶材并提供待鍍膜基片；

S2：對磁控濺射腔進行抽真空；

S3：按預定待鍍膜中各原子組分比例設定每個靶材的濺射速度并開始磁控濺射以對匯流口處的待鍍膜基片沉積預定原子組分比例的膜；在鍍膜過程中，可移動待鍍膜極片經過匯流口處時，位于匯流口處的多種原子的混合濺射源對待鍍膜基片進行濺射鍍膜。

2.如權利要求1所述的多元磁控濺射的方法，其特征在于：所述步驟S2中磁控濺射腔的真空度為10^-7～10^-5Torr。

3.如權利要求1所述的多元磁控濺射的方法，其特征在于：所述基片可相對匯流口移動，基片的移動速度為0.1mm/min～1mm/min。

4.如權利要求1所述的多元磁控濺射的方法，其特征在于：該多元磁控濺射的方法在步驟S3之后進一步包括以下步驟：

S5：由機械手取出濺射鍍膜后的基片。

5.如權利要求1所述的多元磁控濺射的方法，其特征在于：所述多元磁控濺射的方法在步驟S2和步驟S3之間進一步包括以下步驟：

S21：向磁控濺射腔內注入惰性氣體。

6.一種制備金屬鋰復合負極的方法，其特征在于：所述制備金屬鋰復合負極的方法包括如1～5任一項所述的多元磁控濺射的方法和以下步驟：

S6：對濺射鍍膜后的基片進行涂布處理；

S7：對涂布后的基片進行熱壓處理。

7.如權利要求6所述的金屬鋰復合負極的方法，其特征在于：所述靶材為鋰靶、硅靶和碳靶。

8.一種多元磁控濺射裝置，其特征在于：所述多元磁控濺射裝置包括多個靶位、多個引導管、磁控濺射腔以及基片臺，所述多個靶位、多個引導管及基片臺均收納在磁控濺射腔內，所述多個靶位用于安裝多個相同或者不同的靶材，所述多個引導管的一端分別與多個靶位一一對應連接，另一端匯合在一處形成一混合濺射源匯流口，所述基片臺用于承載基片且相對于混合濺射源匯流口可移動，位于匯流口處的多種原子的混合濺射源對待鍍膜基片進行濺射鍍膜。

9.一種制備電極的設備，其特征在于：所述制備電極的設備包括如權利要求8所述的多元磁控濺射裝置和手套箱，所述多元磁控濺射裝置設置在手套箱中，所述手套箱中填充有保護性氣體。

10.如權利要求9所述的制備電極的設備，其特征在于：所述制備電極的設備還包括涂布裝置和熱壓裝置，所述涂布裝置和熱壓裝置均設置在手套箱內，所述涂布裝置與多元磁控濺射裝置相連，其用于對濺射沉積后的基片進行涂布處理，所述熱壓裝置與涂布裝置相連，其用于對完成涂布后的基片進行熱壓處理。