[發(fā)明專利]低功耗上電復位掉電復位電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711370423.2 | 申請日： | 2017-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN107835006B | 公開（公告）日： | 2020-02-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫廳;葉思遠;胡宇峰;李成澤;寧寧;李靖;于奇 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H03K17/22 | 分類號： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功耗 復位 掉電 電路 | ||
1.低功耗上電復位掉電復位電路，其特征在于，包括偏置電路、上電充電管、掉電放電管、充電電容(C2)、施密特反相器和緩沖輸出電路，
所述上電充電管的柵極連接所述偏置電路的輸出端，其源極接電源電壓(VDD)，其漏極連接所述掉電放電管的源極和所述施密特反相器的輸入端并通過所述充電電容(C2)后接地；
所述掉電放電管的柵極連接所述偏置電路的輸出端，其漏極接地；
所述緩沖輸出電路的輸入端連接所述施密特反相器的輸出端，其輸出端作為所述低功耗上電復位掉電復位電路的輸出端；
所述偏置電路包括第一電容(C1)、第一分壓電阻、第二分壓電阻和分時復用電阻電路，分時復用電阻電路包括第三分壓電阻和第六NMOS管(M7)；
第一分壓電阻的一端連接第二分壓電阻的一端和第一電容(C1)的一端并作為所述偏置電路的輸出端，其另一端連接第三分壓電阻的一端和第六NMOS管(M7)的漏極；
第二分壓電阻的另一端和第一電容(C1)的另一端連接電源電壓(VDD)；
第六NMOS管(M7)的柵極連接所述緩沖輸出電路的輸出端，其源極連接第三分壓電阻的另一端并接地。
2.根據(jù)權利要求1所述的低功耗上電復位掉電復位電路，其特征在于，所述第一分壓電阻包括第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)，所述第二分壓電阻包括第一PMOS管(M6)；
第一NMOS管(M1)的柵漏短接并連接第一PMOS管(M6)的柵極和漏極以及所述偏置電路的輸出端，其源極連接第二NMOS管(M2)的柵極和漏極；第一PMOS管(M6)的源極連接電源電壓(VDD)；
所述第三分壓電阻包括第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)和第五NMOS管(M5)，
第三NMOS管(M3)的柵漏短接并連接第二NMOS管(M2)的源極和第六NMOS管(M7)的漏極，其源極連接第四NMOS管(M4)的柵極和漏極；
第五NMOS管(M5)的柵漏短接并連接第四NMOS管(M4)的源極，其源極連接第六NMOS管(M7)的源極并接地。
3.根據(jù)權利要求1所述的低功耗上電復位掉電復位電路，其特征在于，所述上電充電管包括第三PMOS管(M8)，所述第三PMOS管(M8)的柵極連接所述偏置電路的輸出端，其源極接電源電壓(VDD)，其漏極連接所述施密特反相器的輸入端。
4.根據(jù)權利要求1所述的低功耗上電復位掉電復位電路，其特征在于，所述掉電放電管包括第四PMOS管(M9)，所述第四PMOS管(M9)的柵極連接所述偏置電路的輸出端，其源極連接所述施密特反相器的輸入端，其漏極接地。
5.根據(jù)權利要求1所述的低功耗上電復位掉電復位電路，其特征在于，還包括反向保護管，所述反向保護管包括第五PMOS管(M10)，所述第五PMOS管(M10)的柵源短接并連接電源電壓(VDD)，其漏極連接所述施密特反相器的輸入端。
6.根據(jù)權利要求1所述的低功耗上電復位掉電復位電路，其特征在于，所述緩沖輸出電路包括兩級反相器。
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