[發明專利]一種片上信號監測系統

在審

• 申請號: 201711370090.3
• 申請日: 2017-12-19
• 公開（公告）號: CN108061850A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 張軍利;張格麗;張元敏
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: G01R31/317
• 分類號: G01R31/317
• 代理公司: 西安銘澤知識產權代理事務所(普通合伙) 61223
• 代理人: 韓曉娟

1.一種片上信號監測系統，其特征在于，包括：頻率發生電路，跟蹤保持電路和10位模數轉換電路；

所述頻率發生電路將芯片間數據傳輸接口中的2GHz源同步時鐘信號clock作為輸入信息，且所述頻率發生電路輸出127.5MHz的采樣時鐘信號sclk；

所述跟蹤保持電路，包括：采樣模塊和補償模塊；所述跟蹤保持電路無延遲接收8Gb/s的高速數據信號，并基于127.5MHz的采樣時鐘信號sclk對芯片間數據傳輸接口輸出的差分數據信號sinp及sinm進行采樣；

所述10位模數轉換電路接收所述跟蹤保持電路輸出的采樣模擬信號samp和samm，并將采樣模擬信號samp和samm轉換為10位數字信號datas輸出。

2.如權利要求1所述的片上信號監測系統，其特征在于，所述數字信號datas通過數字波形儀器顯示并分析。

3.如權利要求1所述的片上信號監測系統，其特征在于，所述采樣模塊，包括：MOS管M1至M17，保持電容C1和C2，電阻R1和R2，采樣時鐘信號接收端口SCLK1和SCLK2，反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB1至SCLKB6，偏置電流輸入端口BIAS，正相數據信號輸入端口SINP，反相數據信號輸入端口SINM，正相信號輸出端口OUTP，以及反相信號輸出端口OUTM。

4.如權利要求3所述的片上信號監測系統，其特征在于，

MOS管M1的源極連接電源，MOS管M1的柵極連接MOS管M7的源極，MOS管M1的漏極連接MOS管M2的漏極；MOS管M2的柵極連接反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB1，MOS管M2的源極連接MOS管M5漏極；保持電容C1的上端連接正相信號輸出端口OUTP，保持電容C1的下端接地；MOS管M4的源極連接電源VCC，MOS管M4的柵極連接MOS管M6的漏極，MOS管M4的漏極連接MOS管M3的源極；MOS管M3的柵極連接采樣時鐘信號接收端口SCLK1，MOS管M3的漏極連接MOS管M5的漏極；MOS管M5的柵極連接MOS管M9的柵極，MOS管M5的源極接地；MOS管M7的源極連接電阻R1的下端，MOS管M7的柵極連接反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB2，MOS管M7的漏極連接MOS管M4的柵極；MOS管M6的漏極連接MOS管M7的漏極，MOS管M6的柵極連接反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB3，MOS管M6的源極接地；電阻R1的上端連接電源VCC，電阻R1的下端連接MOS管M8的源極；MOS管M8的柵極連接反相數據信號輸入端口SINM，MOS管M8的漏極連接MOS管M9的漏極；電阻R2的上端連接電源VCC，電阻R2的下端連接MOS管M10的源極；MOS管M10的柵極連接正相數據信號輸入端口SINP，MOS管M10的漏極連接MOS管M9的漏極；MOS管M9的柵極連接MOS管M15的柵極，MOS管M9的源極接地；MOS管M11的源極連接電阻R2的下端，MOS管M11的柵極連接反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB4，MOS管M11的漏極連接MOS管M12的漏極；MOS管M12的柵極連接反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB5，MOS管M12的源極接地；MOS管M13的源極連接電源VCC，MOS管M13的柵極連接MOS管M11的漏極，MOS管M13漏極連接MOS管M14的源極；MOS管M14的柵極連接采樣時鐘信號接收端口SCLK2，MOS管M14的漏極連接MOS管M15的漏極；MOS管M15的柵極連接偏置電流輸入端口BIAS，MOS管M15的源極接地；MOS管M16的源極連接電源VCC，MOS管M16的柵極連接MOS管M11的源極，MOS管M16的漏極連接MOS管M17的漏極；MOS管M17的柵極連接反相采樣時鐘信號接收端口SCLKB6，MOS管M17的源極連接MOS管M15的漏極；保持電容C2的上端連接反相信號輸出端口OUTM，保持電容C2的下端接地。

5.如權利要求1所述的片上信號監測系統，其特征在于，所述補償模塊包括MOS管M8至M24，電阻R3和R4，正相信號輸入端口INP，反相信號輸入端口INM，偏置電流輸入端口BIAS，正相采樣信號輸出端口SAMP，反相采樣信號輸出端口SAMM。