[發明專利]原子層沉積法制備Mo摻雜VO2

在審

• 申請號: 201711367584.6
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108060408A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 曹韞真;呂欣瑞;李瑩;閆璐;宋力昕
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優麗

1.一種Mo摻雜VO2薄膜，其特征在于，所述Mo摻雜VO2薄膜的化學組成為V1-xMoxO2，其中0.02≤x≤0.1，所述Mo摻雜VO2薄膜通過原子層沉積法在襯底上交替循環沉積VO2和MoO3得到VO2/MoO3納米疊層并經退火而得到。

2.根據權利要求1所述的Mo摻雜VO2薄膜，其特征在于，所述Mo摻雜VO2薄膜的可見光透過率為56%以上，相變溫度為-11℃～67℃，晶相為單斜相或四方相。

3.一種權利要求1或2所述的Mo摻雜VO2薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

于140℃～210℃，通過原子層沉積法在襯底上交替循環沉積VO2和MoO3得到VO2/MoO3納米疊層；以及

所述VO2/MoO3納米疊層經真空下退火處理，得到晶化的Mo摻雜VO2薄膜；

所述交替循環沉積VO2和MoO3包括m個VO2沉積循環和n個MoO3沉積循環重復進行若干次，m為40以上的自然數，n為2～10中的自然數。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述VO2沉積循環的脈沖吹掃程序為釩源前驅體-惰性氣體-反應氣體A-惰性氣體、或反應氣體A-惰性氣體-釩源前驅體-惰性氣體，所述MoO3沉積循環的脈沖吹掃程序為鉬源前驅體-惰性氣體-反應氣體B-惰性氣體、或反應氣體B-惰性氣體-鉬源前驅體-惰性氣體。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述釩源前驅體為四價的釩源，優選V(NMe2)4和/或V(NEtMe)4，所述反應氣體A為H2O和/或O3；所述鉬源前驅體為六價鉬源，優選Mo(CO)6，所述反應氣體B為等離子增強O2和/或O3。

6.根據權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述釩源前驅體為加熱至40℃～60℃的V(NMe2)4和/或V(NEtMe)4，所述鉬源前驅體為加熱至40℃～60℃的Mo(CO)6。

7.根據權利要求3至6中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為單晶Si、Al2O3、熔融石英基底中的一種。