[發明專利]Bi2 有效
| 申請號: | 201711366938.5 | 申請日: | 2017-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN108217607B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 何軍;李杰;王振興;阿米爾·瑪杰;愛迪爾·該 | 申請(專利權)人: | 國家納米科學中心 |
| 主分類號: | C01B19/00 | 分類號: | C01B19/00;B82Y40/00;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;王文紅 |
| 地址: | 100190 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | bi base sub | ||
1.一種Bi2OxSe納米片,其特征在于,是垂直生長于基底上的納米片,納米片的厚度為10~100nm,0<x<2。
2.根據權利要求1所述的Bi2OxSe納米片,其特征在于,所述納米片的橫向尺寸為1~50μm,所述基底為云母、藍寶石、SiO2/Si基底中的一種。
3.根據權利要求1或2所述的Bi2OxSe納米片,其特征在于,所述納米片的形狀為三角形或近似三角形,其橫向尺寸為1~30μm。
4.權利要求1~3任一項所述的Bi2OxSe納米片的制備方法,其特征在于,包括操作:
將Bi2O3源和Bi2Se3源的粉末和基底分別置于單溫區管式爐的中心、上游和下游,用化學氣相沉積的方法,在基底上進行生長,然后自然冷卻至室溫;
所述單溫區管式爐的中心溫度為580~700℃,上游的溫度為500~600℃,下游的溫度為550~650℃;
化學氣相沉積過程中,所述單溫區管式爐持續通入氬氣,氬氣的流量為50~100sccm。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述單溫區管式爐的爐管為石英管,放入反應原料之后,用氬氣清洗所述的石英管。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述單溫區管式爐的中心溫度為600~670℃,上游的溫度為525~590℃,下游的溫度為580~620℃。
7.根據權利要求4~6任一項所述的制備方法,其特征在于,化學氣相沉積的時間為5~60min。
8.權利要求1~3任一項所述的Bi2OxSe納米片在近紅外光電探測器的制備中的應用。
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