[發明專利]雙極晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201711366256.4
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108063162B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 南京溧水高新創業投資管理有限公司
• 主分類號: H01L29/735
• 分類號: H01L29/735;H01L21/331
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識產權代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

1.一種雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供P型襯底，在所述P型襯底上形成N型埋層，在所述N型埋層上形成N型外延層，形成貫穿所述N型外延層與所述N型埋層并延伸至所述P型襯底中的隔離溝槽，形成貫穿所述N型外延層并延伸至所述N型埋層中的N阱，以及在所述隔離溝槽、所述N阱及所述N型外延層上形成氧化層與貫穿所述氧化層且對應所述N型外延層的第一開口；

在所述氧化層及所述第一開口處的N型外延層上形成第一多晶硅，對所述第一多晶硅進行P型注入；

對所述第一多晶硅進行表面氧化從而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅層；

利用光刻膠對所述氧化硅層進行光刻及腐蝕，去除所述氧化層上的部分第一多晶硅上的氧化硅層；

在所述第一多晶硅及所述氧化硅層上形成第二多晶硅；

對所述第二多晶硅及所述第一多晶硅進行光刻與刻蝕，去除所述氧化層上的部分第一多晶硅及第二多晶硅；

去除所述第一多晶硅上的部分氧化硅層及部分第二多晶硅，從而形成貫穿所述第二多晶硅及所述氧化硅層的第二開口；

對所述第二開口處的第一多晶硅進行熱氧化形成氧化物；

去除所述氧化物。

2.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法還包括以下步驟：利用所述第二開口進行基區注入及高溫擴散，從而形成對應所述第二開口并延伸至所述第一多晶硅下方的基區淺結。

3.如權利要求2所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法還包括以下步驟：

在所述第一多晶硅及所述氧化硅層鄰近所述基區淺結一側形成隔離側墻，在所述基區淺結上形成發射極多晶硅；

在所述氧化層、所述氧化硅層、所述隔離側墻及所述發射極多晶硅上形成介質隔離層、貫穿所述介質隔離層及所述氧化層的第一通孔、貫穿所述介質隔離層及所述氧化硅層的第二通孔、貫穿所述介質隔離層的第三通孔、以及在所述介質隔離層上形成集電極、基極及發射極，所述集電極通過所述第一通孔連接所述N阱，所述基極通過所述第二通孔連接所述第一多晶硅，所述發射極通過所述第三通孔連接所述發射極多晶硅。

4.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：在所述氧化層及所述第一開口處的N型外延層上形成第一多晶硅的步驟中，所述第一多晶硅的厚度在100埃至300埃的范圍內。

5.如權利要求4所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：對所述第一多晶硅進行表面氧化從而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅層的步驟中，所述氧化硅層厚度在120埃至180埃的范圍內。

6.如權利要求4所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：對所述第一多晶硅進行表面氧化從而在所述第一多晶硅表面形成氧化硅層的步驟中，所述熱氧化消耗的第一多晶硅的厚度為100埃。

7.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述第二多晶硅的厚度在2000埃至3000埃的范圍內。

8.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：利用光刻膠對所述氧化硅層進行光刻及腐蝕的步驟中，采用濕法腐蝕方式對所述氧化硅層進行光刻及腐蝕。

9.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：對所述第二多晶硅及所述第一多晶硅進行光刻與刻蝕的步驟中，采用濕法腐蝕方式對所述第二多晶硅及所述第一多晶硅進行光刻與刻蝕。

10.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：去除所述氧化物的步驟中，采用濕法腐蝕方式去除所述氧化物。