[發(fā)明專利]絕緣柵雙極晶體管及其制作方法

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• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108054199A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市晶特智造科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述絕緣柵雙極晶體管包括P型襯底、形成于所述P型襯底表面的多個溝槽、形成于所述P型襯底的溝槽所在一側(cè)的表面上及溝槽中的N型外延。

2.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述絕緣柵雙極晶體管還包括形成于所述N型外延表面的P型體區(qū)、形成于所述P型體區(qū)表面源區(qū)、形成于所述P型體區(qū)、源區(qū)及所述N型外延層上的柵極。

3.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述溝槽均勻分布于所述P型襯底上，所述P型襯底上的所有溝槽的平面面積小于所述P型襯底的平面面積的三分之一。

4.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述溝槽的深度在500埃-1500埃的范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述溝槽的平面形狀為圓形、方形、三角形或六角形。

6.一種絕緣柵雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供P型襯底，在所述P型襯底上形成光刻膠；

利用所述光刻膠對所述P型襯底進行刻蝕，從而在所述P型襯底表面形成多個溝槽，去除光刻膠；

對所述P型襯底的多個溝槽進行高溫快速熱退火；

在所述P型襯底的溝槽所在一側(cè)的表面上及溝槽中形成N型外延。

7.如權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法還包括以下步驟：在所述N型外延表面形成P型體區(qū)，在所述P型體區(qū)表面形成源區(qū)，在所述P型體區(qū)、源區(qū)及所述N型外延層上形成柵極。

8.如權(quán)利要求6所緣柵雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述溝槽均勻分布于所述P型襯底上，所述P型襯底上的所有溝槽的平面面積小于所述P型襯底的平面面積的三分之一。

9.如權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙述的絕極晶體管的制作方法，其特征在于：所述溝槽的深度在500埃-1500埃的范圍內(nèi)。

10.如權(quán)利要求6所述的絕緣柵雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述高溫快速熱退火的溫度在1100攝氏度-1200攝氏度的范圍內(nèi)，所述高溫快速熱退火時間在15秒-30秒的范圍內(nèi)。