[發(fā)明專利]一種受損錫球修復(fù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711366222.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108364876A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳海洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海太半導(dǎo)體(無錫)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;B23K3/00 |
| 代理公司: | 無錫市朗高知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32262 | 代理人: | 趙華 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 錫球 受損 溫區(qū) 回流焊設(shè)備 降溫區(qū) 修復(fù) 信賴性測(cè)試 表面溶劑 清洗設(shè)備 溶劑特性 恒溫區(qū) 熔融區(qū) 放入 溶劑 噴灑 清洗 融化 | ||
本發(fā)明的目的在于修復(fù)受損錫球,使受損的錫球形成飽滿的外形。本發(fā)明提供一種受損錫球修復(fù)方法,步驟一,將溶劑噴灑在受損錫球表面,和受損錫球產(chǎn)品一起放入回流焊設(shè)備;步驟二,回流焊設(shè)備需要根據(jù)產(chǎn)品及溶劑特性設(shè)定7個(gè)溫區(qū);步驟三,第一至第三個(gè)溫區(qū)設(shè)立恒溫區(qū);步驟四,第四、第五溫區(qū)設(shè)立為融化熔融區(qū);步驟五,第六和第七溫區(qū)設(shè)立為降溫區(qū);步驟六,經(jīng)過降溫區(qū)后產(chǎn)品自動(dòng)進(jìn)入清洗設(shè)備,使用純水對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行清洗,清除表面溶劑;步驟七,進(jìn)行后期信賴性測(cè)試。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及的技術(shù)領(lǐng)域?yàn)殄a球修復(fù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
錫球安裝過程是在封裝完成的芯片球表面進(jìn)行植球作業(yè),但植球過程中或者后期作業(yè)中因?yàn)樵O(shè)備或人為原因會(huì)導(dǎo)致錫球發(fā)生損壞,導(dǎo)致芯片電性能異常發(fā)生。
在沒有受損錫球修復(fù)技術(shù)的情況下,集成電路在SBM 工藝之后進(jìn)行集成電路電性能測(cè)試過程中,因測(cè)試設(shè)備硬件配套元件及托盤與集成電路直接接觸,如在接觸面存在異物或發(fā)生裝載偏移,集成電路受外力擠壓后會(huì)出現(xiàn)錫球受損的情況,測(cè)試后集成電路在外觀檢查設(shè)備LIS會(huì)進(jìn)行區(qū)分檢測(cè),按照產(chǎn)品技術(shù)規(guī)范規(guī)定,錫球受損超出規(guī)范容許值則IC報(bào)廢處理。由于可能造成IC球受損的工程較多,設(shè)備數(shù)量大,無法及時(shí)發(fā)現(xiàn)異常并進(jìn)行分析改善,產(chǎn)品外觀質(zhì)量提升存在很大困難。
以2016年球受損的數(shù)據(jù)為例,全年LIS 外觀檢測(cè)報(bào)廢集成電路中球受損占70%,約有600,000 顆集成電路成品因此直接廢棄。
現(xiàn)階段,由于受損錫球?qū)儆谝淮涡猿尚妥鳂I(yè),針對(duì)受損錫球沒有改善措施,所以一直是采取Reject處理流程,但目前我們使用的基層是3次回流焊設(shè)計(jì),可以允許進(jìn)行3次回流焊作業(yè),所以針對(duì)受損錫球處理可以通過技術(shù)發(fā)明創(chuàng)新得到有效的解決。
已公開中國發(fā)明專利,公開號(hào):CN102861963A,專利名稱:用于球柵陣列結(jié)構(gòu)集成電路修復(fù)的治具及方法,申請(qǐng)日:2010708,其公開了一種用于球柵陣列結(jié)構(gòu)集成電路修復(fù)的治具及方法。該治具包括治具托盤、彈簧圈、絲網(wǎng)、鎖緊圈以及壓簧片。其中球柵陣列結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)置于治具托盤內(nèi),并通過治具托盤內(nèi)設(shè)置的彈簧圈固定。絲網(wǎng)覆蓋于治具托盤內(nèi)球柵陣列結(jié)構(gòu)集成電路的上方,使球柵陣列結(jié)構(gòu)集成電路的管腳位于其網(wǎng)孔內(nèi),并且絲網(wǎng)通過其外周緣設(shè)置的凹口可以與治具托盤內(nèi)設(shè)有的凸塊準(zhǔn)確對(duì)位。鎖緊圈覆蓋于絲網(wǎng)上并使絲網(wǎng)的網(wǎng)孔露出,通過旋轉(zhuǎn)鎖緊圈使設(shè)置于治具托盤上端的壓簧片壓緊鎖緊圈,以避免修復(fù)時(shí)對(duì)位位置的改變。因此通過本發(fā)明的治具配合回流焊工藝可以利用現(xiàn)有的生產(chǎn)電子線路板的生產(chǎn)線上的回流焊爐經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)了球柵陣列結(jié)構(gòu)集成電路的批量修復(fù)和再利用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于修復(fù)受損錫球,使受損的錫球形成飽滿的外形。
本發(fā)明提供一種受損錫球修復(fù)方法,其特征在于,
該方法包括以下步驟:
步驟一,將溶劑噴灑在受損錫球表面,和受損錫球產(chǎn)品一起放入回流焊設(shè)備;
步驟二,回流焊設(shè)備需要根據(jù)產(chǎn)品及溶劑特性設(shè)定7個(gè)溫區(qū);
步驟三,第一至第三個(gè)溫區(qū)設(shè)立恒溫區(qū);
步驟四,第四、第五溫區(qū)設(shè)立為融化熔融區(qū);
步驟五,第六和第七溫區(qū)設(shè)立為降溫區(qū);
步驟六,經(jīng)過降溫區(qū)后產(chǎn)品自動(dòng)進(jìn)入清洗設(shè)備,使用純水對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行清洗,清除表面溶劑;
步驟七,進(jìn)行后期信賴性測(cè)試;
優(yōu)選的,所述步驟三的恒溫區(qū)溫度為220°C;
優(yōu)選的,所述步驟四的第四溫區(qū)溫度為260°C;
優(yōu)選的,所述步驟四的第五溫區(qū)溫度為335°C;
優(yōu)選的,所述步驟五的第六和第七溫區(qū)不設(shè)溫度。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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