[發明專利]雙極晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201711366143.4
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108063161A
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市晶特智造科技有限公司
• 主分類號: H01L29/735
• 分類號: H01L29/735;H01L21/331
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供P型襯底，在所述P型襯底上形成N型埋層，在所述N型埋層上形成N型外延層；

通過光刻及刻蝕形成貫穿所述N型外延層及所述N型埋層并延伸至所述P型襯底中的隔離溝槽；

在所述隔離溝槽底部填充第一氧化物，所述第一氧化物的上表面高于所述N型埋層的下表面且低于所述N型埋層的上表面；

對所述隔離溝槽的側壁的N型外延層進行傾斜注入從而在所述隔離溝槽外圍形成N型阱區；

在所述隔離溝槽的第一氧化物上形成第二氧化物；

在所述N型外延層表面形成基區、連接所述基區的基區P型接觸區，在所述基區上的N型發射極多晶硅，在所述基區P型接觸區上形成P型基區接觸多晶硅，以及形成連接所述N型發射極多晶硅的發射極金屬、連接所述P型基區接觸多晶硅的基極金屬及連接所述N型阱區的集電極金屬。

2.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述集電極金屬連接所述N型阱區鄰近所述基區P型接觸區的一側。

3.如權利要求2所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述隔離溝槽、所述N型阱區、所述集電極金屬的數量均為兩個，所述兩個隔離溝槽、N型阱區及集電極金屬分別位于所述基區及所述基區P型接觸區的兩側，每一N型阱區位于對應的一個隔離溝槽的外圍，每個集電極金屬連接對應的N型阱區鄰近所述基區及基區P型接觸區的一側。

4.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：在所述隔離溝槽底部填充第一氧化物的步驟包括：在所述隔離溝槽中填滿所述第一氧化物，對所述第一氧化物進行回刻去除所述隔離溝槽上部的第一氧化物，保留所述隔離溝槽底部的第一氧化物。

5.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述隔離溝槽的寬度在0.5um-1.5um的范圍內。

6.如權利要求1所述的雙極晶體管的制作方法，其特征在于：所述雙極晶體管還包括氧化物隔離層、氧化層及介質隔離層，所述氧化物隔離層設置于所述基區接觸多晶硅及發射極多晶硅上，所述氧化層設置于所述N型外延層及所述隔離溝槽與N型阱區上，所述介質隔離層設置于所述氧化層及所述氧化物隔離層上，所述發射極金屬通過所述介質隔離層及氧化物隔離層的第一通孔連接所述N型發射極多晶硅，所述基極金屬通過貫穿所述介質隔離層及氧化物隔離層的第二通孔連接所述P型基區接觸多晶硅，所述集電極金屬通過貫穿所述介質隔離層及氧化層的第三通孔連接所述N型阱區。

7.一種雙極晶體管，其特征在于：所述雙極晶體管包括P型襯底、形成于所述P型襯底上的N型埋層、形成于所述N型埋層上的N型外延層、貫穿所述N型外延層及所述N型埋層并延伸至所述P型襯底中的隔離溝槽、設置于所述隔離溝槽中的氧化物、設置于所述隔離溝槽外圍并包圍所述隔離溝槽的N型阱區、設置于所述N型外延層表面的基區、連接所述基區的基區P型接觸區、設置于所述基區上的N型發射極多晶硅、設置于所述基區P型接觸區上的P型基區接觸多晶硅、連接所述N型發射極多晶硅的發射極金屬、連接所述P型基區接觸多晶硅的基極金屬及連接所述N型阱區的集電極金屬。

8.如權利要求7所述的雙極晶體管，其特征在于：所述集電極金屬連接所述N型阱區鄰近所述基區P型接觸區的一側。

9.如權利要求8所述的雙極晶體管，其特征在于：所述隔離溝槽、所述N型阱區、所述集電極金屬的數量均為兩個，所述兩個隔離溝槽、N型阱區及集電極金屬分別位于所述基區及所述基區P型接觸區的兩側，每一N型阱區位于對應的一個隔離溝槽的外圍，每個集電極金屬連接對應的N型阱區鄰近所述基區及基區P型接觸區的一側。

10.如權利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于：所述隔離溝槽的寬度在0.5um-1.5um的范圍內。