[發明專利]金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201711364985.6
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108054204A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市晶特智造科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述金屬氧化物半導體晶體管包括P型阱區、形成于所述P型阱區表面的源區與漏區、形成于所述源區與漏區上及所述P型阱區上的柵極氧化層、形成于所述柵極氧化層上的柵極多晶硅，所述柵極多晶硅包括至少部分位于所述源區的柵極氧化層上方的第一部分、至少部分位于所述漏區的柵極氧化層上方的第二部分、及連接于所述第一部分與第二部分之間的第三部分，所述第三部分包括迂回結構，使得所述迂回結構的長度大于所述第一部分與所述第二部分之間的距離。

2.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述第一部分及所述第二部分均為條形部，所述第一部分的條形部與所述第二部分的條形部相互平行。

3.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述迂回結構包括多個，所述多個迂回結構并行連接于所述第一部分及所述第二部分之間。

4.如權利要求3所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：相鄰兩個迂回結構的間距大于每個迂回結構的最大寬度。

5.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述迂回結構的形狀為方波形、波浪形、鋸齒形、或者環形部與直條部交替連接的形狀。

6.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述迂回結構的形狀為方波形，其包括沿所述第一部分至第二部分的方向延伸的水平部及連接所述水平部的豎直部，所述水平部的寬度大于所述豎直部的寬度。

7.如權利要求6所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述豎直部的寬度在0.3um-0.5um的范圍內。

8.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述第一部分與所述源區的交疊寬度在0.3um-0.8um的范圍內。

9.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于：所述第二部分與所述漏區的交疊寬度在0.3um-0.8um的范圍內。

10.一種金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供P型阱區，在所述P型阱區表面形成源區與漏區；

在所述源區與漏區上及所述P型阱區上依序形成柵極氧化層及柵極多晶硅層；

對所述柵極多晶硅層進行光刻及刻蝕，形成柵極多晶硅，所述柵極多晶硅包括至少部分位于所述源區的柵極氧化層上方的第一部分、至少部分位于所述漏區的柵極氧化層上方的第二部分、及連接于所述第一部分與第二部分之間的第三部分，所述第三部分包括迂回結構，使得所述迂回結構的長度大于所述第一部分與所述第二部分之間的距離。