[發明專利]平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法

在審

• 申請號: 201711364914.6
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108010848A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳市晶特智造科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產權代理事務所(普通合伙) 44419
• 代理人: 曹明蘭

1.一種平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步驟：

提供具有N型襯底的N型外延，在所述N型外延上依序形成柵氧化層、多晶硅層及氮化硅層；

使用光刻膠對所述氮化硅層及多晶硅層進行刻蝕從而去除部分氮化硅層及多晶硅層，剩余的另一部分多晶硅層作為柵極及互聯用的多晶硅層，且剩余的多晶硅層頂部的氮化硅層被保留；

去除所述光刻膠，在所述N型外延進行P型離子注入；

對所述P型注入離子進行激活及推進形成P型體區；

通過光刻工藝，定義出源區位置，并使用另一光刻膠對所述柵氧化層進行刻蝕去除部分柵氧化層，所述多晶硅層下方的柵氧化層被保留；

在所述P型體區表面形成N型區域作為源區；

去除另一光刻膠，并去除所述多晶硅層上方的部分氮化硅層；

在所述多晶硅層頂部及側壁、所述多晶硅層下方的柵氧化層側壁形成介質層；

在所述P型體區、所述源區及所述介質層上形成正面金屬；

在所述N型襯底遠離所述N型外延一側形成背面金屬。

2.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述柵氧化層的厚度在800埃到1200埃的范圍內。

3.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：去除所述多晶硅層上方的部分氮化硅層的步驟包括使用熱的磷酸采用濕法工藝去除所述多晶硅層上方的部分氮化硅層。

4.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：使用光刻膠對所述氮化硅層及多晶硅層進行刻蝕從而去除部分氮化硅層及多晶硅層的步驟中，先采用干法刻蝕去除部分氮化硅層，再采用干法刻蝕去除部分多晶硅層。

5.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述氮化硅層的厚度在300埃到600埃的范圍內。

6.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述P型離子包括硼，所述P型離子注入的劑量在每平方厘米1的13次方到每平方厘米去的15次方的范圍內，所述P型離子注入的能量在600KEV至1000KEV的范圍內。

7.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：對所述P型注入離子進行激活及推進形成P型體區的步驟的溫度在900攝氏度到1200攝氏度的范圍內，時間在50分鐘到200分鐘的范圍內，通入的氣體包括氮氣與氧氣，所述氮氣的流量在每分鐘8升到12升的范圍內，所述氧氣的流量在每分鐘0.04升到0.2升的范圍內。

8.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述N型襯底為N型濃襯底，所述N型外延為N型輕摻雜外延。

9.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述正面金屬的材料包括鋁硅銅合金。

10.如權利要求1所述的平面型垂直雙擴散金屬氧化物晶體管的制作方法，其特征在于：所述背面金屬包括鈦、鎳、銀的復合層。