[發明專利]植入體封裝結構及其密封蓋

有效

• 申請號: 201711364497.5
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN107913131B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 彭勃;趙賽賽;吳天準
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院
• 主分類號: A61F9/00
• 分類號: A61F9/00;A61F2/14
• 代理公司: 北京市誠輝律師事務所 11430
• 代理人: 范盈

1.一種植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述密封蓋包括蓋體以及設置在蓋體外緣的焊接部，所述蓋體的頂部設有能夠與體液接觸的凸出部，所述凸出部實現植入體神經電極刺激信號輸出過程中的接地，在所述蓋體的外表面注塑有硅膠層，所述硅膠層的頂面與所述凸出部的頂面位于同一平面內；所述蓋體的頂部設有凹陷部，所述凹陷部內能注塑有所述硅膠層；所述凸出部為圓柱體形、橢圓柱體形或多棱柱體形。

2.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述凹陷部為環凹槽，所述環凹槽圍設在所述凸出部的外周。

3.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述凹陷部由間隔設置的多個凹槽組成，多個所述凹槽圍設在所述凸出部的外周。

4.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述密封蓋由鐵材料制成。

5.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述凸出部的頂面粗糙度小于0.8μm。

6.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述凸出部的橫截面面積大于或等于所述蓋體的橫截面面積的三分之一。

7.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述焊接部為設置在所述蓋體外緣的焊接臺肩，所述焊接臺肩的外徑小于所述蓋體的外徑。

8.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述焊接部的高度為0.25mm～0.35mm。

9.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述蓋體的外徑為4mm～4.5mm。

10.如權利要求1所述的植入體神經刺激電極封裝結構的密封蓋，其特征在于，所述凹陷部的橫截面的寬度為0.15mm～0.25mm。

11.一種植入體神經刺激電極封裝結構，其特征在于，其包括如權利要求1～10中任一項所述密封蓋，所述植入體神經刺激電極封裝結構還具有陶瓷基底，所述陶瓷基底與所述密封蓋之間焊接連接有密封環。

12.如權利要求11所述的植入體神經刺激電極封裝結構，其特征在于，所述陶瓷基底、所述密封蓋以及所述密封環之間形成有密封腔，所述密封腔內填充有氮氣。

13.如權利要求11所述的植入體神經刺激電極封裝結構，其特征在于，所述密封環由鐵材料制成。

14.如權利要求11所述的植入體神經刺激電極封裝結構，其特征在于，所述密封環徑向向內設有臺階環，所述密封蓋的焊接部抵接在所述臺階環上。