[發明專利]有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201711364495.6 | 申請日: | 2017-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN108206203B | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發明(設計)人: | 任相炫;吳忠玩;趙大揆;成基榮;樸泳柱 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;吳瓊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
提供了一種有機發光二極管顯示器,還提供了有機發光二極管顯示器的制造方法。有機發光二極管顯示器包括多個像素,每個像素包括有機發光二極管,并且該有機發光二極管顯示器包括:基板;在基板上的水平線;在水平線上的至少一個第一絕緣層;在所述至少一個第一絕緣層上的屏蔽電極;在屏蔽電極上的至少一個第二絕緣層;在所述至少一個第二絕緣層上的數據線,數據線與水平線交叉,屏蔽電極在水平線與數據線的交叉處與水平線和數據線交疊;以及連接到屏蔽電極的恒定電壓源。
技術領域
本公開涉及有機發光二極管顯示器及其制造方法。
背景技術
已經使用各種類型的平板顯示器(FPD)來替代較重和較大的陰極射線管(CRT)。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和有機發光二極管(OLED)顯示器。
更詳細地,OLED顯示器是被配置成通過激發有機化合物來發光的自發射顯示裝置。OLED顯示器不需要在液晶顯示器中所需的背光單元,因此具有薄外型、輕重量和簡單的制造過程。由于OLED顯示器也可以在低溫下制造,并且具有包括1ms或更小的快速響應時間、低功耗、寬視角、高對比度等的特性,因此OLED顯示器已被廣泛使用。
OLED顯示器包括有機發光二極管,每個有機發光二極管將電能轉換為光能。每個有機發光二極管包括陽極、陰極以及在陽極和陰極之間的有機發光層。空穴從陽極注入,并且電子從陰極注入。當通過陽極和陰極注入的空穴和電子被注入有機發光層時,空穴和電子復合以形成激子。激子在將能量轉換成光時發光。
由于近來期望顯示裝置的高分辨率,所以像素的尺寸趨向于變得越來越小。每個像素包括晶體管、電容器和有機發光二極管。隨著具有上述配置的像素的尺寸變小,晶體管和信號線(例如,掃描線和數據線)被集成并且被布置成彼此靠近。
掃描線和數據線被布置成彼此交叉,并且在掃描線和數據線的交疊部分中形成寄生電容。在這種情況下,由于施加到數據線的數據電壓的變化,在施加到掃描線的電壓中可能出現波動。用戶可以將由數據電壓干擾所產生的波動現象識別為有缺陷的驅動,例如亮度降低。有缺陷的驅動導致顯示裝置的顯示質量和可靠性降低。
發明內容
因此,本公開涉及基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或更多個問題的有機發光二極管顯示器及其制造方法。
本公開的一方面在于提供一種有機發光二極管顯示器,其能夠通過進一步包括屏蔽電極來防止或減少在與數據線交叉的信號線中出現的由數據電壓的變化而導致的波動。
附加的特征和方面將在下面的描述中闡述,并且部分將從描述中變得明顯,或者部分可以通過本文提供的發明構思的實踐中獲知。本發明構思的其他特征和方面可以通過書面描述中特別指出的結構或由此可推導出的結構以及其權利要求和附圖來實現和獲得。
為了實現如所呈現和廣泛描述的本發明構思的這些和其他方面,提供了一種有機發光二極管顯示器,該有機發光二極管顯示器包括多個像素,每個像素包括有機發光二極管,該有機發光二極管顯示器包括:基板;在基板上的水平線;在水平線上的至少一個第一絕緣層;在所述至少一個第一絕緣層上的屏蔽電極;在屏蔽電極上的至少一個第二絕緣層;在所述至少一個第二絕緣層上的數據線,數據線與水平線交叉,屏蔽電極在水平線與數據線的交叉處與水平線和數據線交疊;以及連接到屏蔽電極的恒定電壓源。
另一方面,提供了一種制造有機發光二極管顯示器的方法,該方法包括設置多個像素,每個像素包括有機發光二極管,該方法包括:設置基板;在基板上設置水平線;在水平線上設置至少一個第一絕緣層;在所述至少一個第一絕緣層上設置屏蔽電極;在屏蔽電極上設置至少一個第二絕緣層;在所述至少一個第二絕緣層上設置數據線,數據線與水平線交叉,屏蔽電極在水平線與數據線的交叉處與水平線和數據線交疊;以及設置連接到屏蔽電極的恒定電壓源。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





