[發明專利]大尺寸高功率脈沖晶閘管

有效

• 申請號: 201711364219.X
• 申請日: 2017-12-18
• 公開（公告）號: CN108305896B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 顏家圣;劉鵬;張橋;劉小俐;肖彥;朱玉德
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/423;H01L23/10
• 代理公司: 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種大尺寸高功率脈沖晶閘管，其特征在于：包括芯片（1）、絕緣膠圈（2）、陰極鉬片（3）、陽極鉬片（4）、門極組件（5）、管殼上封接件（6）和管殼下封接件（7）；所述芯片（1）為硅基PNPN四層三端結構，包括陽極發射區P型層（8）、長基區N型層（9）、短基區P型層（10）和陰極區N型層（11）；所述芯片（1）兩個端面鍍金屬薄層（13）以連接外電極，其中陰極面的門極（14）、放大門極和陰極（17）同軸，門極（14）位于軸心中心區，門極（14）與放大門極相鄰，放大門極包括放大門極中心區（15）和放大門極分布區（16），放大門極分布區（16）與陰極（17）交叉排布；其特征是：所述芯片（1）、絕緣膠圈（2）、陰極鉬片（3）、陽極鉬片（4）、門極組件（5）、管殼上封接件（6）和管殼下封接件（7）采用懸浮式組裝和壓接封裝；所述芯片（1）直徑為4英寸～8英寸；所述放大門極中心區（15）外緣與陰極（17）的陰極區的交界線（18）位于20%芯片（1）直徑以外，放大門極分布區（16）呈雪花型排列。

2.根據權利要求1所述的一種大尺寸高功率脈沖晶閘管，其特征是：所述的長基區N型層（9）為穿通型結構，芯片（1）的長基區總厚度小于或等于空間電荷層擴展長度。

3.根據權利要求1或2所述的一種大尺寸高功率脈沖晶閘管，其特征是：所述的芯片（1）陽極發射區P型層（8）采用短路結構，重摻雜陽極發射區P型層（8）通過在長基區N型層（9）開窗口形成，陽極發射區P型層（8）的面積大于長基區N型層（9），陽極發射區P型層（8）和長基區N型層（9）的表面是通過金屬薄層短路連接的。