[發明專利]一種量子點及其制備方法在審

申請號：	201711364168.0	申請日：	2017-12-18
公開（公告）號：	CN109929552A	公開（公告）日：	2019-06-25
發明（設計）人：	楊一行;聶志文	申請（專利權）人：	TCL集團股份有限公司
主分類號：	C09K11/70	分類號：	C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50
代理公司：	深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268	代理人：	王永文;劉文求
地址：	516006 廣東省***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	量子點金屬層核表面半導體殼包覆鍵合制備尺寸均勻性量子點材料表面缺陷發光效率金屬元素金屬原子晶格失配晶體結構有效地鈍化核殼活化減小配體紐帶生長
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【權利要求書】：

1.一種量子點，其特征在于，所述量子點包括量子點核，包覆所述量子點核的金屬層，包覆所述金屬層的半導體殼層，其中，所述金屬層中的金屬元素選自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的量子點，其特征在于，所述量子點核的材料選自III-V族半導體材料或III-V族半導體材料與II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料。

3.根據權利要求2所述的量子點，其特征在于，所述量子點核的材料為III-V族半導體材料，所述III-V族半導體材料選自GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InAsP、GaAsP、InGaP、InGaAs和InGaAsP中的一種。

4.根據權利要求2所述的量子點，其特征在于，所述量子點核的材料為III-V族半導體材料和II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料，所述III-V族半導體材料選自GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InAsP、GaAsP、InGaP、InGaAs和InGaAsP中的一種，所述II-VI族半導體材料選自ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSe、HgS、HgTe、HgSeS、HgSeTe和HgSTe中的一種。

5.根據權利要求1所述的量子點，其特征在于，所述半導體殼層的材料為II-VI族半導體材料。

6.根據權利要求5所述的量子點，其特征在于，所述半導體殼層的II-VI族半導體材料選自ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSe、HgS、HgTe、HgSeS、HgSeTe和HgSTe中的一種。

7.根據權利要求1-6任一項所述的量子點，其特征在于，所述量子點的發光峰波長范圍為400-700納米。

8.根據權利要求1-6任一項所述的量子點，其特征在于，所述量子點的發光峰的半高峰寬范圍為20-100納米。

9.根據權利要求1所述的量子點，其特征在于，所述量子點核的材料選自InP或InGaP，所述金屬層中的金屬元素選自Zn或Ga。

10.根據權利要求9所述的量子點，其特征在于，所述半導體殼層的材料選自ZnSe、ZnS和ZnSeS中的一種。

11.根據權利要求1所述的量子點，其特征在于，所述量子點核的材料為III-V族半導體材料和II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料，所述金屬層的金屬元素選自Zn。

12.根據權利要求11所述的量子點，其特征在于，所述III-V族半導體材料和II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料選自InPZnS、InPZnSe、InPZnSeS、InGaPZnSe、InGaPZnS和InGaPZnSeS中的一種。

13.根據權利要求12所述的量子點，其特征在于，所述半導體殼層的材料選自ZnSe、ZnS和ZnSeS中的一種。

14.根據權利要求1所述的量子點，其特征在于，所述量子點的粒徑為4-8nm。

15.根據權利要求14所述的量子點，其特征在于，所述量子點核的粒徑為2-4nm，所述金屬層中的金屬元素選自Zn或Ga。

16.根據權利要求15所述的量子點，其特征在于，所述量子點為藍光量子點。