[發明專利]一種量子點組合物及其制備方法在審
| 申請號： | 201711363561.8 | 申請日： | 2017-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN109929545A | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 楊一行;聶志文 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子點 金屬層 量子點組合物 發光效率 量子點發光材料 量子點材料 包覆 制備 綜合性能要求 半導體器件 尺寸均勻性 半導體核 半導體殼 金屬元素 殼量子點 半導體 應用 | ||
1.一種量子點組合物，其特征在于，包括量子點材料和介質，所述量子點材料分散在所述介質中，所述量子點包括量子點核，包覆所述量子點核的金屬層，包覆所述金屬層的半導體殼層，其中，所述金屬層中的金屬元素選自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的量子點組合物，其特征在于，所述介質包括至少一種高分子材料；
或所述介質包括至少一種高分子預聚物材料；
或所述介質包括至少一種低聚物材料；
或所述介質包括至少一種小分子材料；
或所述介質包括至少一種無機材料；
或所述介質包括至少一種主體介質材料；
或所述主體介質材料包含至少一種有機材料；
或所述主體介質材料包含至少一種無機材料；
或所述介質包括至少一種非極性液體；
或所述介質包括至少一種極性液體。
3.根據權利要求2所述的量子點組合物，其特征在于，當所述介質包括至少一種主體介質材料時，所述主體介質材料含至少一種有機材料。
4.根據權利要求2所述的量子點組合物，其特征在于，當所述介質包括至少一種主體介質材料時，所述主體介質材料含至少一種無機材料。
5.根據權利要求1所述的量子點組合物，其特征在于，所述量子點核的材料選自III-V族半導體材料或III-V族半導體材料與II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料。
6.根據權利要求1所述的量子點組合物，其特征在于，
所述半導體殼層的材料為II-VI族半導體材料；
和/或所述半導體殼層的II-VI族半導體材料選自ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSe、HgS、HgTe、HgSeS、HgSeTe和HgSTe中的一種。
7.根據權利要求1所述的量子點組合物，其特征在于，所述量子點核的材料選自InP或InGaP，所述金屬層中的金屬元素選自Zn或Ga。
8.根據權利要求1所述的量子點組合物，其特征在于，所述量子點核的材料為III-V族半導體材料和II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料，所述金屬層的金屬元素選自Zn；
和/或所述III-V族半導體材料和II-VI族半導體材料所組成的合金半導體材料選自InPZnS、InPZnSe、InPZnSeS、InGaPZnSe、InGaPZnS和InGaPZnSeS中的一種。
9.根據權利要求1所述的量子點組合物，其特征在于，所述量子點核的粒徑為4-6nm，所述金屬層中的金屬元素選自Zn或Ga，所述量子點為綠光量子點或紅光量子點。
10.一種量子點組合物的制備方法，其特征在于，包括步驟：將量子點材料與介質混合均勻，得到所述量子點組合物；或者將混合均勻的量子點與介質的混合物形成薄膜后得到所述量子點組合物，其中，所述量子點包括量子點核，包覆所述量子點核的金屬層，包覆所述金屬層的半導體殼層，其中，所述金屬層中的金屬元素選自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一種或多種。
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