[發明專利]一種硅環加工的方法

在審

• 申請號: 201711360734.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109935544A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 陳海濱;庫黎明;夏青;朱秦發;高立飛;閆志瑞
• 申請（專利權）人: 有研半導體材料有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/20
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青

1.一種硅環加工的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將機加工好的硅環用混酸腐蝕、清洗、吹干，去除機加工留下的表面損傷；

(2)將硅環固定在離子減薄儀的空腔中的圓盤上，圓盤可經旋轉軸帶動360°旋轉，抽真空至5×10^-3Pa，將離子槍對準硅環卡槽，并與硅環卡槽平面成一定角度夾角，旋轉圓盤，給離子槍加直流高壓，緩慢打開氬氣閥，高壓氬氣進入離子槍，來回移動離子槍使得硅環卡槽表面去除均勻；

(3)將硅環進行雙面拋光，以拋光硅環上下其余表面，并清洗硅環。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，離子槍與硅環卡槽表面所成角度為1°-60°。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，離子槍與硅環卡槽表面所成角度為30°-45°。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，給離子槍加2000-9000伏的直流高壓。