[發(fā)明專利]一種改善GaN外延片性質(zhì)并增強GaN基LED發(fā)光性能的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711354577.2 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN108054247A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 佛山東燊金屬制品有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山幫專知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 顏春艷 |
| 地址： | 528251 廣東省佛山市南海區(qū)桂城街道平勝*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 gan 外延 性質(zhì) 增強 led 發(fā)光 性能 方法 | ||
1.一種改善GaN外延片性質(zhì)并增強GaN基LED發(fā)光性能的方法，其特征在于，GaN外延片的厚度為450μm，其最上層為380nm厚摻Mg的p型GaN層；
首先，進行激光輻照實驗前，將其剪裁成邊長為10mm的正方形，之后將樣品分別依次浸入乙醇、丙酮和去離子水中超聲清洗約5min；然后采用LP 305i F型準分子激光器在空氣中對GaN樣品進行激光輻照，激光波長為248nm，重復(fù)頻率為3Hz和10Hz，激光能量密度為300～800m J/cm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善GaN外延片性質(zhì)并增強GaN基LED發(fā)光性能的方法，其特征在于，采用Acton SP2750型光譜儀測量光致發(fā)光譜，激發(fā)波長為325nm，收集方式為背向散射；采用HL5500型霍爾測試儀測量GaN外延片的載流子濃度、遷移率和電阻率；采用Axis Ultra型能譜儀測量X射線光電子譜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善GaN外延片性質(zhì)并增強GaN基LED發(fā)光性能的方法，其特征在于，采用磁控濺射的方法在GaN外延片表面鍍上Ni/Au電極，用來測量歐姆接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善GaN外延片性質(zhì)并增強GaN基LED發(fā)光性能的方法，其特征在于，在對GaN外延片進行封裝時，表面鍍上Ni/Au電極，采用電子束蒸發(fā)的方法在外延材料表面形成厚度為240nm的氧化銦錫薄膜，將Ti/Au合金作為電極連接半導(dǎo)體的p-n結(jié)兩端，最后在室溫下測量樣品的LED發(fā)光性能。
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