[發明專利]一種量子點復合材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201711354383.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109929543A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 葉煒浩
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/85;C09K11/78;C09K11/61;C09K11/62;C09K11/67;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點復合材料，其特征在于，包括：

核，所述核的材料為上轉換熒光納米材料；

間隔層，所述間隔層包覆所述核；

量子點，所述量子點結合在所述間隔層表面，所述間隔層用于降低所述上轉換熒光納米材料向所述量子點傳遞能量時的非輻射衰減速率；

所述間隔層的材料為氧化物材料。

2.根據權利要求1所述的量子點復合材料，其特征在于，所述間隔層材料選自SiO₂、Fe₃O₄、Al₂O₃或TiO₂。

3.根據權利要求1所述的量子點復合材料，其特征在于，所述間隔層由2-10層子材料層層疊形成。

4.根據權利要求3所述的量子點復合材料，其特征在于，所述各子材料層材料獨立地選自SiO₂、Fe₃O₄、Al₂O₃或TiO₂。

5.根據權利要求1至4任一項所述的量子點復合材料，其特征在于，所述間隔層的總厚度記為d，d為5-20nm。

6.根據權利要求5所述的量子點復合材料，其特征在于， d為5-15nm。

7.根據權利要求6所述的量子點復合材料，其特征在于， d為8-12nm。

8.根據權利要求1至4任一項所述的量子點復合材料，其特征在于，所述間隔層與所述量子點結合的表面結合有表面活性劑體。

9.根據權利要求8所述的量子點復合材料，其特征在于，所述表面活性劑選自含巰基的有機配體、含氨基的有機配體、羧基及羧酸衍生物有機配體和雙親聚合物中的一種或多種。

10.根據權利要求1至4任一項所述的量子點復合材料，其特征在于，用作所述核的所述上轉換熒光納米材料為激活劑摻雜的上轉換熒光納米材料基質材料；或者用作所述核的所述上轉換熒光納米材料為激活劑和敏化劑摻雜的上轉換熒光納米材料基質材料。

11.根據權利要求10所述的量子點復合材料，其特征在于，所述上轉換熒光納米材料為激活劑摻雜的上轉換熒光納米材料基質材料，所述激活劑選自Tm³⁺、Er³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Ho³⁺、Ti²⁺、Cr³⁺、Ni²⁺、Mo³⁺、Re⁴⁺和Os⁴⁺中的一種或多種；或者所述上轉換熒光納米材料為激活劑和敏化劑摻雜的上轉換熒光納米材料基質材料，所述激活劑選自Tm³⁺、Er³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺、Ho³⁺、Ti²⁺、Cr³⁺、Ni²⁺、Mo³⁺、Re⁴⁺和Os⁴⁺中的一種或多種；所述敏化劑為Yb³⁺。