[發明專利]一種復合膜及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 201711354136.2 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN109932400B | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 程陸玲;楊一行 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種用作氣敏傳感器中的氣敏層的復合膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供富勒醇，將所述富勒醇與硅烷偶聯劑混合后脫水，得到硅烷偶聯劑修飾的富勒烯，所述硅烷偶聯劑的通式為YSiX3，其中X為烷氧基，Y為非水解基團，Y中碳鏈末端含有氨基取代基或巰基取代基；
提供金屬氧化物納米顆粒溶液；
提供基板，將所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯的堿性溶液沉積在所述基板上，形成第一薄膜；
在所述第一薄膜上沉積所述金屬氧化物納米顆粒溶液，形成第二薄膜，并在所述第一薄膜和第二薄膜的結合界面處，使位于第一薄膜表面的富勒烯中表面的氨基或巰基與位于第二薄膜表面的金屬氧化物納米顆粒中的表面金屬元素結合，制備得到所述復合膜；
所述金屬氧化物納米顆粒溶液為半導體金屬氧化物納米顆粒溶液。
2.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述富勒醇的通式為Cm(OH)n，其中，28≤m≤104，16≤n≤60，nm。
3.根據權利要求2所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述富勒醇為C60(OH)36。
4.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述硅烷偶聯劑選自NH2(CH2)3Si(OCH3)3、NH2(CH2)3Si(OC2H5)3、NH2(CH2)2NH(CH2)3Si(OCH3)3、NH2(CH2)2NH(CH2)3Si(OC2H5)3和SH(CH2)3Si(OC2H5)3中的一種。
5.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物納米顆粒溶液中，所述金屬氧化物納米顆粒選自Fe2O3納米顆粒、TiO2納米顆粒、CoO納米顆粒或MgO納米顆粒。
6.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，將所述富勒醇與硅烷偶聯劑混合后脫水的步驟中，按所述富勒醇與所述硅烷偶聯劑的摩爾比為1mmol：（15~20mmol），將所述富勒醇與所述硅烷偶聯劑混合。
7.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯的堿性溶液中，所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯的濃度為20~40mg/mL。
8.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物納米顆粒溶液中，所述金屬氧化物納米顆粒的粒徑為1~100nm。
9.根據權利要求1所述的復合膜的制備方法，其特征在于，將所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯的堿性溶液沉積在所述基板上，形成第一薄膜的步驟包括：所述硅烷偶聯劑修飾的富勒烯的堿性溶液沉積在所述基板上，在40~60℃條件下，退火處理30-60min，在所述基板上形成第一薄膜。
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