[發明專利]MIM電容器及其制作方法

有效

• 申請號: 201711354009.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108123041B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 南京溧水高新創業投資管理有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識產權代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

1.一種MIM電容器，其特征在于：所述MIM電容器包括絕緣介質層，形成于所述絕緣介質層表面的第一溝槽，形成于所述絕緣介質層的第一溝槽所在一側的表面的電容下電極，形成于所述電容下電極遠離所述絕緣介質的表面的電容介質層，形成于所述第一溝槽中的電容介質層表面的電容上電極，形成于所述電容上電極頂部及所述電容介質層表面的鈍化層，貫穿所述鈍化層且對應所述第一溝槽的接觸孔，形成于所述接觸孔及其下方的第二溝槽中且位于所述電容上電極表面的上電極引線結構；所述電容上電極形成于所述第一溝槽內的所述電容介質層表面，且截面形狀為U型；所述電容上電極的U型結構界定與所述接觸孔連通的第二溝槽，所述上電極引線結構包括位于所述第二溝槽中及所述第二溝槽上方的接觸孔中的第一部分、及與所述第一部分連接且位于所述鈍化層上的第二部分；所述第二部分與所述第一部分構成T型，所述第一部分的寬度與所述第一溝槽寬度相等；所述第一溝槽的寬度在2um-5um的范圍內，所述第一溝槽的深度在5um-50um的范圍內。

2.一種MIM電容器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步驟：

提供絕緣介質層、在所述絕緣介質層表面的形成第一溝槽；

在所述絕緣介質層的第一溝槽所在一側的表面形成電容下電極；

在所述電容下電極遠離所述絕緣介質層的表面形成電容介質層；

在所述第一溝槽中的電容介質層表面形成上電極材料；

在所述第一溝槽中的上電極材料表面形成光刻膠；

利用所述光刻膠對所述上電極材料進行垂直刻蝕從而形成位于所述第一溝槽中的電容上電極；

在所述電容上電極頂部及所述電容介質層表面的鈍化層以及形成貫穿所述鈍化層的接觸孔；

在所述接觸孔及其下方的第二溝槽中、及所述第二溝槽兩側的電容介質層表面形成上電極引線結構；

所述電容上電極形成于所述第一溝槽內的所述電容介質層表面，且截面形狀為U型；所述電容上電極的U型結構界定與所述接觸孔連通的第二溝槽，所述上電極引線結構包括位于所述第二溝槽中與所述第二溝槽上方的接觸孔中的第一部分、及與所述第一部分連接且位于所述鈍化層上的第二部分。

3.如權利要求2所述的MIM電容器的制作方法，其特征在于：所述第二部分與所述第一部分構成T型，所述第一部分的寬度與所述第一溝槽寬度相等。

4.如權利要求2所述的MIM電容器的制作方法，其特征在于：所述第一溝槽的寬度在2um-5um的范圍內，所述第一溝槽的深度在5um-50um的范圍內。