[發明專利]光學多弧離子鍍膜機在審
| 申請號: | 201711353629.4 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN109930116A | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 黃樂;祝海生;陳立;凌云;黃夏;黃國興 | 申請(專利權)人: | 湘潭宏大真空技術股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 411100 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陰極 多弧離子鍍膜機 引弧電極 磁棒 磁性組件 真空室 背管 電磁閥控制 充氣組件 抽氣組件 基片表面 加熱組件 絕緣連接 冷卻組件 相鄰設置 陰極表面 運輸組件 絕緣棒 均一性 靶材 鍍膜 刻蝕 離化 膜層 嵌有 連通 金屬 室內 應用 | ||
本發明公開了光學多弧離子鍍膜機,包括真空室和與真空室連通的抽氣組件、充氣組件、運輸組件、加熱組件、冷卻組件,所述真空室內設有至少一多弧靶,所述多弧靶包括陰極和引弧電極,所述陰極的一端與引弧電極的一端絕緣連接,所述陰極為一內部設有磁棒和靶背管的靶材,所述磁棒和靶背管相鄰設置,所述磁棒為一嵌有一磁性組件的絕緣棒,所述引弧電極通過一電磁閥控制其與陰極不相連的一端與陰極表面接觸和分離。與現有技術相比,本發明提供的光學多弧離子鍍膜機在陰極中加裝了磁性組件,可使金屬離化率更高,鍍膜刻蝕均勻,基片表面膜層均一性更佳,因此其應用前景十分廣闊。
技術領域
本發明涉及真空鍍膜領域,具體說,是涉及光學多弧離子鍍膜機。
背景技術
真空鍍膜技術初現于20世紀30年代,四五十年代開始出現工業應用,工業化大規模生產開始于20世紀80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得廣泛的應用。真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術,是表面工程技術領域的重要組成部分。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜,從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導電、導磁、絕緣和裝飾燈許多優于固體材料本身的優越性能,達到提高產品質量、延長產品壽命、節約能源和獲得顯著技術經濟效益的作用。需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。
真空鍍膜工藝是一種物理方法,真空鍍膜的工藝過程不產生電鍍廢水,能夠實現清潔生產,應用前景廣闊。陰極電弧蒸發鍍膜技術屬于真空鍍膜中離子鍍膜的一種改進方法,是20世紀70年代開始研究的一種新的物理氣相沉積工藝是離子鍍技術中的皎皎者,具有高離化率、易于進行反應鍍、散射性好、膜層致密以及附著力強等優點,在刀具、模具、小五金以及裝飾品等鍍制耐磨、耐熱及耐蝕薄膜的行業應用廣泛。
多弧離子鍍技術是20世紀70年代開始研究的一種新的物理氣相沉積工藝,是離子鍍技術的一種改進方法,與一般的離子鍍有著很大的區別。多弧離子鍍采用的是弧光放電,它是把弧光放電作為金屬蒸發源的表面涂層技術,而并不是傳統離子鍍的輝光放電進行沉積。簡單的說,多弧離子鍍的原理就是把陰極靶作為蒸發源,通過靶與陽極殼體之間的弧光放電,使靶材蒸發,從而在空間中形成等離子體,對基體進行沉積。
多弧離子鍍這種工藝的特點如下:
1)陰極電弧蒸發源不產生溶池,可以任意設置于鍍膜室適當的位置,也可以采用多個電弧蒸發源,提高沉積速率使膜層厚度均勻,并可簡化基片轉動機構。
2)金屬離化率高,可達80%以上,因此鍍膜速率高,有利于提高膜基附著性和膜層的性能。
3)一弧多用。電弧既是蒸發源和離化源又是加熱源和離子濺射清洗的離子源。
4)沉積速度快,繞鍍性好。
5)入射粒子能量高,膜的致密度高,強度和耐磨性好。工件和膜界面有原子擴散,因而膜的附著力高。
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