[發明專利]一種除臭抗菌鏡片鍍膜方法

在審

• 申請號: 201711353487.1
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108070828A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 吳曉彤
• 申請（專利權）人: 奧特路（漳州）光學科技有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/08
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 翁志霖

1.一種除臭抗菌鏡片鍍膜方法，所述鏡片包括由樹脂或玻璃成型的基片，所述基片的內、外兩個表面從里到外對稱依序設有第一膜層、第二膜層和第三膜層；所述第一膜層為納米二氧化鈦層，厚度為60-90nm；所述第二膜層為納米銀層，厚度為25-40nm；所述第三膜層為ITO層，厚度為30-80nm；其特征在于：所述基片由樹脂成型時，所述鍍膜方法具體包括以下步驟：

1）對基片進行清洗、干燥；

2）分別對基片的內、外兩個表面進行鍍膜；

A、分別對雙面鍍第一膜層：

將真空鍍膜艙內的真空度調整至小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于基片的外表面，同時控制第一膜層蒸鍍的速率為7?/S，第一膜層最終形成后的厚度為60-90nm；其中，所述第一膜層的膜材為納米二氧化鈦顆粒，形成納米二氧化鈦層；

B、分別對雙面鍍第二膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時控制第二膜層蒸鍍的速率為1?/S，第二膜層最終形成后的厚度為25-40nm；其中，所述第二膜層的膜材為Ag2O、AgO或Ag2O3，形成納米銀層；

C、分別對雙面鍍第三膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時控制第三膜層蒸鍍的速率為1?/S，第三膜層最終形成后的厚度為30-80nm；其中，所述第三膜層的膜材為ITO材料，形成ITO層。

2.根據權利要求1所述的一種除臭抗菌鏡片鍍膜方法，其特征在于：所述基片由玻璃成型時，所述鍍膜方法具體包括以下步驟：

1）對基片進行清洗、干燥；

2）分別對基片的內、外兩個表面進行鍍膜；

A、分別對雙面鍍第一膜層：

將真空鍍膜艙內的真空度調整至小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內的溫度為200-300℃，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于基片的外表面，同時控制第一膜層蒸鍍的速率為7?/S，第一膜層最終形成后的厚度為60-90nm；其中，所述第一膜層的膜材為納米二氧化鈦顆粒，形成納米二氧化鈦層；

B、分別對雙面鍍第二膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為200-300℃，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時控制第二膜層蒸鍍的速率為1?/S，第二膜層最終形成后的厚度為25-40nm；其中，所述第二膜層的膜材為Ag2O、AgO或Ag2O3，形成納米銀層；

C、分別對雙面鍍第三膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內的溫度為200-300℃，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時控制第三膜層蒸鍍的速率為1?/S，第三膜層最終形成后的厚度為30-80nm；其中，所述第三膜層的膜材為ITO材料，形成ITO層。

3.根據權利要求1或者2所述的一種除臭抗菌鏡片鍍膜方法，其特征在于：所述的步驟1）中對基片進行清洗、干燥的具體步驟如下：采用有機溶劑清洗劑對基片進行初次清洗，并以超聲波輔助清洗，采用異丙醇干燥；在基片鍍膜前，將基片放在真空艙內，用離子槍轟擊基片的外表面2-3分鐘進行再次清洗。