[發明專利]一種防輻射鏡片鍍膜方法

在審

• 申請號: 201711353471.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108107492A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 吳曉彤
• 申請（專利權）人: 奧特路（漳州）光學科技有限公司
• 主分類號: G02B1/10
• 分類號: G02B1/10;G02C7/02
• 代理公司: 福州君誠知識產權代理有限公司 35211
• 代理人: 翁志霖

1.一種防輻射鏡片鍍膜方法，所述鏡片包括由樹脂或玻璃成型的基片，所述基片的內、外兩個表面從里到外對稱依序設有第一膜層、第二膜層、第三膜層、第四膜層、第五膜層、第六膜層、第七膜層、第八膜層和第九膜層；所述第一膜層、第四膜層和第七膜層均為二氧化硅層，厚度均為60-90nm；所述第二膜層、第五膜層和第八膜層均為五氧化三鈦層，厚度均為20-80nm；所述第三膜層為金屬層，厚度為25-40nm；所述第六膜層和第九膜層均為ITO層，厚度均為30-80nm，其特征在于：所述基片由樹脂成型時，所述鍍膜方法具體包括以下步驟：

1）對基片進行清洗、干燥；

2）分別對基片的內、外兩個表面進行鍍膜；

A、分別對雙面鍍第一膜層：

將真空鍍膜艙內的真空度調整至小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，第一膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于基片的外表面，同時控制第一膜層蒸鍍的速率為7?/S，第一膜層最終形成后的厚度為60-90nm；其中，所述第一膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；

B、分別對雙面鍍第二膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時控制第二膜層蒸鍍的速率為2.5?/S，第二膜層最終形成后的厚度為20-80nm；其中，所述第二膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；

C、分別對雙面鍍第三膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，并控制真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時控制第七膜層蒸鍍的速率為1?/S，第七膜層最終形成后的厚度為25-40nm；其中，所述第七膜層的膜材為金、銀、鉑、釹、銅、鋅、鎳、金合金、銀合金、鉑合金、釹合金、銅合金、鋅合金或鎳合金，形成金屬層；

D、分別對雙面鍍第四膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第四膜層的膜材，第四膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟C中第三膜層的表面，同時控制第四膜層蒸鍍的速率為7?/S，第四膜層最終形成后的厚度為60-90nm；其中，所述第四膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；

E、分別對雙面鍍第五膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第五膜層的膜材，第五膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟D中第四膜層的表面，同時控制第五膜層蒸鍍的速率為2.5?/S，第五膜層最終形成后的厚度為20-80nm；其中，所述第五膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；

F、分別對雙面鍍第六膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第六膜層的膜材，第六膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟E中第五膜層的表面，同時控制第六膜層蒸鍍的速率為1?/S，第六膜層最終形成后的厚度為30-80nm；其中，所述第六膜層的膜材為ITO材料,形成ITO層；

G、分別對雙面鍍第七膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第七膜層的膜材，第七膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟F中第六膜層的表面，同時控制第七膜層蒸鍍的速率為7?/S，第七膜層最終形成后的厚度為60-90nm；其中，所述第七膜層的膜材為二氧化硅，形成二氧化硅層；

H、分別對雙面鍍第八膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第八膜層的膜材，第八膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟G中第七膜層的表面，同時控制第八膜層蒸鍍的速率為2.5?/S，第八膜層最終形成后的厚度為20-80nm；其中，所述第八膜層的膜材為五氧化三鈦，形成五氧化三鈦層；

I、分別對雙面鍍第九膜層：

保持真空鍍膜艙內的真空度小于或等于5.0×10-3帕，同時保持真空鍍膜艙內的溫度為50-70℃，采用電子槍轟擊第九膜層的膜材，第九膜層的膜材蒸發后以納米級分子形式沉積于上述步驟H中第八膜層的表面，同時控制第九膜層蒸鍍的速率為1?/S，第九膜層最終形成后的厚度為30-80nm；其中，所述第九膜層的膜材為ITO材料，形成ITO層。