[發明專利]一種共源共柵氮化鎵器件及其應用在審
| 申請號： | 201711352714.9 | 申請日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN108062445A | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 卓放;朱田華;王豐;王海林;賀鑫露;史書懷 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50;H03K17/687 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710049 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 共源共柵 氮化 器件 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種共源共柵氮化鎵器件，其特征在于，包括硅器件和若干并聯的氮化鎵器件，所述硅器件與若干并聯的氮化鎵器件串聯連接形成共源共柵結構；
若干并聯的氮化鎵器件的源極均與硅器件的漏極相連接，若干并聯的氮化鎵器件的柵極均與硅器件的源極相連接，若干并聯的氮化鎵器件的漏極共接作為整個共源共柵氮化鎵器件的漏極。
2.根據權利要求1所述的一種共源共柵氮化鎵器件，其特征在于，所述氮化鎵器件為耗盡型氮化鎵晶體管。
3.根據權利要求2所述的一種共源共柵氮化鎵器件，其特征在于，耗盡型氮化鎵晶體管的數目為N，N由硅器件的最大通流能力I
4.根據權利要求1所述的一種共源共柵氮化鎵器件，其特征在于，所述硅器件為一個低耐壓的硅MOSFET，其漏源級擊穿電壓值應小于或等于耗盡型氮化鎵器件的源柵極所能承受的最大電壓值。
5.根據權利要求4所述的一種共源共柵氮化鎵器件，其特征在于，耗盡型氮化鎵器件的源柵極所能承受的最大電壓值為35V。
6.根據權利要求1所述的一種共源共柵氮化鎵器件，其特征在于，硅器件的柵極與源極之間連接一個驅動芯片。
7.權利要求1至6中任一項所述的一種共源共柵氮化鎵器件用作通斷開關的應用。
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