[發(fā)明專利]基于雜化LKMC和OKMC模擬納米結(jié)構(gòu)核材料輻照損傷的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711352184.8 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108090279B | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李祥艷;許依春;張艷革;孫靜靜;郝叢宇;尤玉偉;孔祥山;劉偉;吳學(xué)邦;劉長松;方前鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G06F40/18 |
| 代理公司: | 合肥中谷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34146 | 代理人: | 陳少麗 |
| 地址: | 23000*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 lkmc okmc 模擬 納米 結(jié)構(gòu) 材料 輻照 損傷 方法 | ||
1.基于雜化LKMC和OKMC模擬納米結(jié)構(gòu)核材料輻照損傷的方法,其特征在于:包括以下步驟
S1、建立OKMC區(qū)域事件速率表格:從缺陷信息數(shù)據(jù)庫中加載塊體區(qū)域空位、自間隙及其團(tuán)簇?cái)U(kuò)散、聚集、復(fù)合能壘,以及缺陷對象作用半徑數(shù)據(jù),根據(jù)缺陷類型和其發(fā)生的相關(guān)事件過程,計(jì)算指定溫度下對應(yīng)的原子過程速率,根據(jù)模擬體系的差異,設(shè)置缺陷運(yùn)動方式以及計(jì)算幾何模型相關(guān)的基本參數(shù);
S2、給定LKMC界面,并確定LKMC區(qū)域半徑:對步驟S1的OKMC區(qū)域事件速率表格進(jìn)行統(tǒng)計(jì),根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果,逐步擴(kuò)大計(jì)算區(qū)域半徑,直至找到晶界影響的區(qū)域與塊體區(qū)域邊界;
S3、建立LKMC格點(diǎn)與缺陷態(tài)之間的映射:對于空位,LKMC中的晶格拓?fù)鋱D形與晶界實(shí)際的原子晶格相同,相應(yīng)原子號即為LKMC中晶格號,對于自間隙原子,其LKMC晶格與原子晶格存在平移關(guān)系為沿著自間隙原子取向的單位向量,而且在晶界附近結(jié)構(gòu)弛豫以后自間隙原子會凝聚到同一個(gè)態(tài)上,通過判斷弛豫后自間隙態(tài)之間距離,避免相同態(tài)躍遷;
S4、建立LKMC區(qū)域不同缺陷態(tài)之間躍遷速率表格,對于給定的界面,計(jì)算與其處于介于第一近鄰和第二近鄰之間的所有原子格點(diǎn),采用NEB方法計(jì)算空位、間隙原子在LKMC晶格上所有態(tài)之間轉(zhuǎn)變的能壘,即界面附近區(qū)域沿著所有躍遷路徑的向前、向后躍遷能壘,進(jìn)而轉(zhuǎn)變成相應(yīng)的速率;
S5、擴(kuò)大計(jì)算模型內(nèi)速率表格:據(jù)小體系中的速率表格拓展為大體系的速率表格,當(dāng)態(tài)i與態(tài)i1、態(tài)j與態(tài)j1的距離相差模型最小周期長度整數(shù)倍時(shí),態(tài)i1到態(tài)j1的轉(zhuǎn)變速率與從態(tài)i到j(luò)的轉(zhuǎn)變速率相等;
S6、建立OKMC與LKMC過渡區(qū)域速率表格并進(jìn)行速率處理:對于處于OKMC和LKMC過渡區(qū)域的缺陷,對于向外遠(yuǎn)離LKMC區(qū)域的速率采用塊體中相應(yīng)速率表格中的速率,對于向內(nèi)靠近LKMC區(qū)域的速率采用LKMC區(qū)域中的躍遷速率;
S7、建立LKMC區(qū)域缺陷團(tuán)簇事件速率表格并進(jìn)行速率處理:對于小型缺陷團(tuán)簇的獨(dú)立擴(kuò)散過程,其擴(kuò)散能壘和相應(yīng)速率設(shè)置為靜態(tài)計(jì)算值,其擴(kuò)散方式設(shè)置為點(diǎn)缺陷的運(yùn)動方式,LKMC晶格映射方式同點(diǎn)缺陷;
S8、對于OKMC與LKMC內(nèi)不同區(qū)域的事件,調(diào)用相應(yīng)的速率,選擇、執(zhí)行事件。
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