[發(fā)明專利]一種封裝薄膜及其制備方法、光電器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711352163.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109935678A | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱佩;曹蔚然 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/56 | 分類號(hào)： | H01L33/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 散熱膜 陶瓷膜 封裝薄膜 光電器件 陶瓷膜表面 碳化物 碳離子 制備 層疊設(shè)置 使用壽命 應(yīng)力集中 有效緩解 結(jié)合力 界面處 自發(fā)光 散熱 水氧 阻隔 摻雜 應(yīng)用 | ||
1.一種封裝薄膜，其特征在于，包括層疊設(shè)置的陶瓷膜以及散熱膜，所述散熱膜由碳化物組成，在所述陶瓷膜與所述散熱膜界面處的陶瓷膜表面摻雜有碳離子并形成碳離子注入層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜包括陶瓷材料，所述陶瓷材料為氧化硅、氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦和氧化鎢中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于，所述碳化物為碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鋯、碳化釩和類金剛石中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜的厚度為100-300nm；和或所述散熱膜的厚度為500-1000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝薄膜，其特征在于，所述碳離子為C12+或C14+。
6.一種封裝薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供待封裝器件，在所述器件表面沉積陶瓷膜；
在所述陶瓷膜表面注入碳離子，形成碳離子注入層；
在所述碳離子注入層表面沉積散熱膜，所述散熱膜由碳化物組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝薄膜的制備方法，其特征在于，在所述器件表面沉積陶瓷膜包括：采用射頻濺射法在所述器件表面沉積陶瓷膜，其中，濺射功率為60-100W；和/或?yàn)R射氣壓為0.6-1Pa；和/或?yàn)R射速率為10-30nm/min。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝薄膜的制備方法，其特征在于，在所述陶瓷膜表面注入碳離子包括：在加速電壓為50-70 KV的條件下，往所述陶瓷膜表面注入劑量為1015-1017 cm-2的碳離子源，在所述陶瓷膜表面生成碳離子注入層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝薄膜的制備方法，其特征在于，在所述碳離子注入層表面沉積散熱膜包括：采用PECVD法在所述碳離子注入層表面沉積散熱膜，其中，沉積速率為20-30nm/min；和/或沉積功率為100-300W。
10.一種光電器件，包括第一電極、發(fā)光層以及第二電極，其特征在于，所述第二電極上設(shè)置有封裝薄膜，所述封裝薄膜為權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的封裝薄膜, 或所述封裝薄膜為權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述方法制備的封裝薄膜，所述陶瓷膜與所述第二電極疊合。
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