[發(fā)明專利]一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711352069.0 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108172500A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金文明;賀賢漢;溫海峰 | 申請(專利權(quán))人: | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人: | 顧雯 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 藥液槽 硅片 放入 拋光硅片表面 清洗 氫氟酸 原液 去除 表面活性劑 比例稱量 標(biāo)準(zhǔn)清洗 常溫下 純水槽 稱量 污染 充分混合 純水清洗 硅片表面 清洗機(jī)臺 潔凈度 清洗機(jī) 兩槽 客戶 | ||
本發(fā)明提供了一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法,在標(biāo)準(zhǔn)清洗清洗機(jī)臺前增加兩槽,即藥液槽和純水槽;將49%?51%氫氟酸原液的氫氟酸原液按照藥液槽體體積的0.8%?1.2%的比例稱量好;將表面活性劑按照藥液槽體體積的0.1?0.2%的比例稱量好;將稱量好的氫氟酸原液和稱量好的表面活性劑放入藥液槽內(nèi),并充分混合;將硅片放入所述的藥液槽內(nèi),在常溫下進(jìn)行硅片的清洗;將清洗后的硅片放入純水槽內(nèi),在常溫下對硅片用純水清洗;將清洗后的硅片放入標(biāo)準(zhǔn)清洗清洗機(jī)內(nèi)清洗;本發(fā)明利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染,使得硅片表面的潔凈度大大提高,滿足了不同客戶的需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體拋光硅片的清洗工藝領(lǐng)域,具體涉及一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法。
背景技術(shù)
硅片拋光后由于研磨劑以及背面有機(jī)蠟及其他添加劑的存在而附著著各類雜質(zhì),如顆粒、金屬、有機(jī)物等,必須要通過清洗去除,以避免雜質(zhì)在后道工藝中引起致命缺陷
傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝采用以下方法:氨水和雙氧水混合液--氨水和雙氧水混合液—氨水和雙氧水混合液—超純水--超純水--氨水和雙氧水混合液—氨水和雙氧水混合液—超純水--超純水—硅片甩干,去除表面硅片表面的雜質(zhì)以及金屬和有機(jī)物,但隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,特別是線寬越來越小的情況下,對雜質(zhì)的限制要求也越來越高,而實踐表明,傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝已經(jīng)不能滿足日益嚴(yán)苛的產(chǎn)品要求。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明提供了一種新型的清洗工藝,在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝基礎(chǔ)上針對實際生產(chǎn)過程中遇到的問題得以改進(jìn),形成了新的硅片清洗工藝,利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染,使得硅片表面的潔凈度大大提高,滿足了不同客戶的需求。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法,具體步驟如下:
步驟一、在標(biāo)準(zhǔn)清洗清洗機(jī)臺前增加兩槽,即藥液槽和純水槽;
步驟二、將49%-51%氫氟酸原液的氫氟酸原液按照藥液槽體體積的0.8%-1.2%的比例稱量好;
步驟三、將表面活性劑按照藥液槽體體積的0.1-0.2%的比例稱量好;
步驟四、將步驟二中稱量好的氫氟酸原液和步驟三中稱量好的表面活性劑放入藥液槽內(nèi),并充分混合;
步驟五、將硅片放入步驟四中所述的藥液槽內(nèi),在常溫下進(jìn)行硅片的清洗;
步驟六、將步驟五中清洗后的硅片放入純水槽內(nèi),在常溫下對硅片用純水清洗;
步驟七、將步驟六中清洗后的硅片放入標(biāo)準(zhǔn)清洗清洗機(jī)內(nèi)清洗。
進(jìn)一步的,步驟二中所述氫氟酸原液的濃度為49%。
進(jìn)一步的,步驟三中所述表面活性劑TSC-1或者NCW。
進(jìn)一步的,所述藥液槽為特氟龍材質(zhì)的藥液槽。
進(jìn)一步的,所述純水槽為石英材質(zhì)的純水槽。
進(jìn)一步的,步驟二中,將49%-51%氫氟酸原液的氫氟酸原液按照藥液槽體體積的1.2%的比例稱量好。
進(jìn)一步的,步驟三中,將表面活性劑按照藥液槽體體積的0.15%的比例稱量好。
本發(fā)明的有益效果是:
1、拋光后的硅片由于表面存在SiO2研磨顆粒,使用HF能夠有效去除,使得在硅片進(jìn)入氨水雙氧水藥液前更加干凈,增強(qiáng)其清洗效果;
2、HF本身可以去除部分金屬雜質(zhì),傳統(tǒng)的清洗工藝是先氨水雙氧水藥液清洗,但是在清洗前就存在的金屬雜質(zhì)團(tuán)并不能被清洗,后期更加難去除,本方法在氨水雙氧水藥液前先去除部分金屬雜質(zhì)團(tuán),使得表面更加潔凈;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





