[發明專利]一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法

在審

• 申請號: 201711352069.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108172500A
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 金文明;賀賢漢;溫海峰
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司 31203
• 代理人: 顧雯

本發明提供了一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法，在標準清洗清洗機臺前增加兩槽，即藥液槽和純水槽；將49％?51％氫氟酸原液的氫氟酸原液按照藥液槽體體積的0.8％?1.2％的比例稱量好；將表面活性劑按照藥液槽體體積的0.1?0.2％的比例稱量好；將稱量好的氫氟酸原液和稱量好的表面活性劑放入藥液槽內，并充分混合；將硅片放入所述的藥液槽內，在常溫下進行硅片的清洗；將清洗后的硅片放入純水槽內，在常溫下對硅片用純水清洗；將清洗后的硅片放入標準清洗清洗機內清洗；本發明利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染，使得硅片表面的潔凈度大大提高，滿足了不同客戶的需求。

技術領域

本發明涉及半導體拋光硅片的清洗工藝領域，具體涉及一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法。

背景技術

硅片拋光后由于研磨劑以及背面有機蠟及其他添加劑的存在而附著著各類雜質，如顆粒、金屬、有機物等，必須要通過清洗去除，以避免雜質在后道工藝中引起致命缺陷

傳統的標準清洗工藝采用以下方法：氨水和雙氧水混合液--氨水和雙氧水混合液—氨水和雙氧水混合液—超純水--超純水--氨水和雙氧水混合液—氨水和雙氧水混合液—超純水--超純水—硅片甩干，去除表面硅片表面的雜質以及金屬和有機物，但隨著半導體行業的發展，特別是線寬越來越小的情況下，對雜質的限制要求也越來越高，而實踐表明，傳統的標準清洗工藝已經不能滿足日益嚴苛的產品要求。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明提供了一種新型的清洗工藝，在現有標準清洗工藝基礎上針對實際生產過程中遇到的問題得以改進，形成了新的硅片清洗工藝，利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染，使得硅片表面的潔凈度大大提高，滿足了不同客戶的需求。

本發明的技術方案是：一種利用常溫HF酸去除拋光硅片表面污染的方法，具體步驟如下：

步驟一、在標準清洗清洗機臺前增加兩槽，即藥液槽和純水槽；

步驟二、將49％-51％氫氟酸原液的氫氟酸原液按照藥液槽體體積的0.8％-1.2％的比例稱量好；

步驟三、將表面活性劑按照藥液槽體體積的0.1-0.2％的比例稱量好；

步驟四、將步驟二中稱量好的氫氟酸原液和步驟三中稱量好的表面活性劑放入藥液槽內，并充分混合；

步驟五、將硅片放入步驟四中所述的藥液槽內，在常溫下進行硅片的清洗；

步驟六、將步驟五中清洗后的硅片放入純水槽內，在常溫下對硅片用純水清洗；

步驟七、將步驟六中清洗后的硅片放入標準清洗清洗機內清洗。

進一步的，步驟二中所述氫氟酸原液的濃度為49％。

進一步的，步驟三中所述表面活性劑TSC-1或者NCW。

進一步的，所述藥液槽為特氟龍材質的藥液槽。

進一步的，所述純水槽為石英材質的純水槽。

進一步的，步驟二中，將49％-51％氫氟酸原液的氫氟酸原液按照藥液槽體體積的1.2％的比例稱量好。

進一步的，步驟三中，將表面活性劑按照藥液槽體體積的0.15％的比例稱量好。

本發明的有益效果是：

1、拋光后的硅片由于表面存在SiO₂研磨顆粒，使用HF能夠有效去除，使得在硅片進入氨水雙氧水藥液前更加干凈，增強其清洗效果；

2、HF本身可以去除部分金屬雜質，傳統的清洗工藝是先氨水雙氧水藥液清洗，但是在清洗前就存在的金屬雜質團并不能被清洗，后期更加難去除，本方法在氨水雙氧水藥液前先去除部分金屬雜質團，使得表面更加潔凈；