[發(fā)明專利]應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構

在審

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• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN107947780A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 孫煜;胡濱;王青勇;金沛沛
• 申請（專利權）人: 西安龍騰微電子科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003
• 代理公司: 陜西增瑞律師事務所61219
• 代理人: 張瑞琪

1.應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構，其特征在于，包括雙電容振蕩結構(1)，所述雙電容震蕩結構(1)通過開關(2)分別與比較器(3)和數(shù)字邏輯單元(4)相連接，所述比較器(3)和數(shù)字邏輯單元(4)用于控制所述開關(2)的翻轉，所述比較器(3)還連接有基準電壓；

所述數(shù)字邏輯單元(4)中包括時鐘模塊冗余結構，所述時鐘模塊冗余結構包括多個反饋置位鎖存器(5)，每個所述反饋置位鎖存器(5)的輸出端均連接至同一仲裁器(6)的輸入端，所述仲裁器(6)用于在接收的多個所述反饋置位鎖存器(5)發(fā)出的數(shù)據(jù)結果中，選擇出現(xiàn)次數(shù)最多的數(shù)據(jù)結果進行輸出；

所述數(shù)字邏輯單元(4)中還包括有雙內(nèi)鎖自復位單元，所述雙內(nèi)鎖自復位單元包括4個RS觸發(fā)器(7)，所述雙內(nèi)鎖自復位單元用于通過電路本身的多重反饋將輸出錯誤的節(jié)點電壓重置到正確電位。

2.如權利要求1所述的應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構，其特征在于，所述雙電容振蕩結構(1)包括兩個互相獨立的單電容充電結構，每個所述單電容充電結構均分別與所述開關(2)連接，所述開關(2)用于在所述比較器(3)和所述數(shù)字邏輯單元的作用下，在兩個所述單電容充電結構之間切換。

3.如權利要求1或2所述的應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構，其特征在于，所述應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構中的NMOS晶體管均采用環(huán)形柵結構。

4.如權利要求1或2所述的應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構，其特征在于，所述應用于抗輻照電壓轉換芯片的雙內(nèi)鎖自復位振蕩器結構中的每個NMOS晶體管均加有N+保護環(huán)，每個PMOS晶體管均加有P+保護環(huán)。