[發(fā)明專利]一種動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)、設(shè)備及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711351713.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108414553B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊旭明;王延凱;寇秀榮;戴輝;羅恒;李小寶;陳惠娟;蔡淵
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州新材料研究所有限公司
• 主分類號: G01N23/207
• 分類號: G01N23/207;G01N23/2055
• 代理公司: 北京工信聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11266
• 代理人: 朱振德

1.一種動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，包括用于發(fā)射X射線的X射線管以及用于接收X射線并計(jì)算得出待測產(chǎn)品的晶體織構(gòu)的X射線探測器，其特征在于，所述X射線管及X射線探測器分別設(shè)置于測角儀上，所述測角儀設(shè)置在第一旋轉(zhuǎn)臺上，所述第一旋轉(zhuǎn)臺設(shè)置在第二旋轉(zhuǎn)臺上，所述第一旋轉(zhuǎn)臺與第二旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸相互垂直；所述系統(tǒng)還包括待測產(chǎn)品輸送機(jī)構(gòu)，用于將所述待測產(chǎn)品以連續(xù)或步進(jìn)的方式輸送經(jīng)過所述X射線管及X射線探測器的檢測點(diǎn)，其中，所述第一旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸為Kai軸，所述第二旋轉(zhuǎn)臺的旋轉(zhuǎn)軸為Phi軸，所述Phi軸垂直于待測產(chǎn)品表面平面，所述Kai軸為衍射面與待測產(chǎn)品表面平面的交線，所述衍射面指X射線管發(fā)射的入射線與所述X射線探測器接收的衍射線所在的平面。

2.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一旋轉(zhuǎn)臺和第二旋轉(zhuǎn)臺分別由電機(jī)帶動轉(zhuǎn)動，所述電機(jī)連接到控制器。

3.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述X射線管和X光探測器的旋轉(zhuǎn)軸線位于所述測角儀實(shí)體之外。

4.如權(quán)利要求1或2所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一旋轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)動范圍至少為0-95度；所述第二旋轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)動范圍至少為-75至+75度。

5.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述待測產(chǎn)品輸送機(jī)構(gòu)上設(shè)有高度調(diào)節(jié)裝置。

6.如權(quán)利要求5所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述高度調(diào)節(jié)裝置包括有升降臺，所述升降臺由兩個相鄰但不接觸的滾輪構(gòu)成，兩個滾輪安裝到一個共同的支架上，支架下方設(shè)置升降機(jī)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求2所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，還包括有設(shè)置在待測產(chǎn)品上的標(biāo)志以及與所述控制器連接的傳感器，所述傳感器用于讀取識別待測產(chǎn)品上的標(biāo)志，并將信息發(fā)送給所述控制器，以實(shí)現(xiàn)自動控制。

8.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述待測產(chǎn)品表面涂覆有磁性材料，所述標(biāo)志為錄制在所述磁性材料上的聲音標(biāo)記，所述傳感器為磁頭。

9.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)，其特征在于，所述標(biāo)志為設(shè)置在所述待測產(chǎn)品表面的可視化標(biāo)記，所述傳感器為成像裝置。

10.一種包括權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)的設(shè)備。

11.一種利用權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述動態(tài)測量片狀材料晶體織構(gòu)的系統(tǒng)測量片狀材料晶體織構(gòu)的方法，其特征在于，適用于材料晶體性質(zhì)會有變化的產(chǎn)品，其步驟包括：

S1：將待測產(chǎn)品送入檢測系統(tǒng)，并將所述系統(tǒng)轉(zhuǎn)動到預(yù)設(shè)的角度；

S2：通過測角儀的轉(zhuǎn)動對待測產(chǎn)品做theta-2theta掃描以獲得準(zhǔn)確的2theta角，然后把測角儀轉(zhuǎn)動到準(zhǔn)確測量到的2theta位置；

S3：通過第一旋轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)動對待測產(chǎn)品做Kai掃描以確定準(zhǔn)確的Kai角，然后轉(zhuǎn)動第一旋轉(zhuǎn)臺至準(zhǔn)確的Kai角位置；

S4：控制待測產(chǎn)品以連續(xù)或步進(jìn)的方式移動，通過第二旋轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)動對待測產(chǎn)品做phi掃描得到樣品平面內(nèi)織構(gòu)。

12.如權(quán)利要求11所述的測量片狀材料晶體織構(gòu)的方法，其特征在于，所述步驟S1與S2之間還包括：

S1’：首先預(yù)設(shè)Phi角為0度，Kai角為90度，在預(yù)設(shè)的2theta角下，通過測角儀的轉(zhuǎn)動做Omega掃描，得到晶體平面外取向偏離樣品表面法向的角度，該角度為X射線管和X光探測器的轉(zhuǎn)角的偏移量；

S1’’：根據(jù)所述步驟S1’得到的轉(zhuǎn)角的偏移量，對衍射儀各個軸進(jìn)行修正。