[發明專利]具有半導體本體的晶閘管

有效

• 申請號: 201711351368.2
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108206207B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 伯恩哈德·柯尼希;保羅·施特羅貝爾
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/74
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種具有半導體本體(2)的晶閘管，所述半導體本體(2)具有第一半導體本體主側(3)、與所述第一半導體本體主側(3)相反布置的第二半導體本體主側(4)以及圍繞所述半導體主體(2)并且連接所述第一半導體本體主側(3)和所述第二半導體本體主側(4)的半導體本體邊緣(28)，其中所述半導體本體(2)具有第一導電類型的第一半導體區(5)，其中所述第一半導體區(5)的第一外表面(10)形成所述第一半導體本體主側(3)，其中所述第一半導體區(5)在半導體本體邊緣區域(25)中延伸直到所述第二半導體本體主側(4)，所述第一半導體區(5)的第二外表面形成所述半導體本體邊緣(28)，并且所述第一半導體區(5)的鄰接所述半導體本體邊緣(28)的第三外表面(40)形成所述第二半導體本體主側(4)的第一表面區域，其中所述半導體本體(2)具有在所述半導體本體(2)的內部區域(IB)中布置在所述第一半導體區(5)上并且不延伸直到所述半導體本體邊緣(28)的第二導電類型的第二半導體區(6)，其中所述半導體本體(2)具有布置在所述第二半導體區(6)上的第一導電類型的第三半導體區(7)和布置在所述第三半導體區(7)上的第二導電類型的第四半導體區(8)，其中所述半導體本體(2)具有凹部(15)，所述凹部(15)從所述第二半導體本體主側(4)的第一表面(16)出現，平行于所述半導體本體邊緣(28)伸展并且到達所述第二半導體區(6)中，

其中，所述半導體本體(2)在所述凹部(15)的區域(26)中具有第一臺階(20)，所述第一臺階具有凹形伸展的第一底表面，并且其中所述第一底表面不是由所述第二半導體區(6)的外表面形成的，

其中，所述半導體本體(2)在所述凹部(15)的區域(26)中還具有到達所述第二半導體區(6)中的溝槽(41)，并且

其中，所述第一半導體區(5)的所述第三外表面(40)具有凹形輪廓，其中在所述半導體本體邊緣區域(25)中，所述半導體本體(2)具有布置在所述第二半導體區(6)上的第一導電類型的第五半導體區(9)，其中所述凹部的幾何形狀被設計為使得所述第五半導體區(9)被布置為與所述第一半導體區(5)和所述第三半導體區(7)物理地分離。

2.根據權利要求1所述的晶閘管，其特征在于，整個所述第一半導體本體主側(3)是平面設計的。

3.根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于，所述凹部(15)從所述第三半導體區(7)或所述第四半導體區(8)的外表面(31，32)出現。

4.根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于，邊界(G1)從所述第二半導體區(6)至所述第三半導體區(7)到達直到所述凹部(15)。

5.根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于，邊界(G2)從所述第一半導體區(5)到所述第二半導體區(6)到達直到所述凹部(15)。

6.根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于，所述半導體本體邊緣(28)平行于所述第一半導體區(5)的所述第一外表面(10)的法線方向(N)從所述第一半導體本體主側(3)至所述第二半導體本體主側(4)伸展。

7.根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于，所述半導體本體(2)具有界定所述凹部(15)的外表面(33，34，35，40)，其中所述半導體本體(2)的界定所述凹部(15)的所述外表面(33，34，35，40)的至少一部分分別形成為各半導體區(5，6，7，9)的氧化硅層(22)的外表面，或者氧化硅層被布置在所述半導體本體(2)的界定所述凹部(15)的所述外表面(33，34，35，40)的至少一部分上。

8.根據權利要求7所述的晶閘管，其特征在于，在所述氧化硅層上布置有聚酰亞胺層(23)。

9.根據權利要求1或2所述的晶閘管，其特征在于，所述半導體本體(2)具有界定所述凹部(15)的外表面(33，34，35，40)，其中聚酰亞胺層(23)被布置在所述半導體本體(2)的界定所述凹部(15)的所述外表面(33，34，35，40)的至少一部分上。