[發明專利]基于橫向二極管的TSV轉接板

有效

• 申請號: 201711351292.3
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108122889B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 張捷
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768;H01L27/02
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 李斌

1.一種基于橫向二極管的TSV轉接板，其特征在于，包括：

Si襯底(101)；

TSV區(102)，設置于所述Si襯底(101)內；所述TSV區(102)內的材料為多晶硅；

隔離區(103)，設置于所述Si襯底(101)內并位于所述TSV區(102)之間；隔離溝槽上下寬度一致；

橫向二極管(104)，設置于所述Si襯底(101)內且位于所述隔離區(103)形成的橫向封閉區域內，所述二極管周邊被SiO₂絕緣層包圍；所述橫向二極管(104)基于N^-摻雜的多晶硅填充，摻雜濃度為5×10¹⁴cm^-3，摻雜雜質為磷；

互連線(105)，對所述TSV區(102)的第一端面和所述橫向二極管(104)進行串行連接；所述串行連接的方式包括：所述第一端面和鄰近所述第一端面的橫向二極管(104)中靠近所述第一端面的一個電極通過所述互連線(105)連接；鄰近所述第一端面的橫向二極管(104)的另一個電極與相鄰的橫向二極管(104)的較近的一個電極通過所述互連線(105)連接；

其中，所述TSV區(102)和所述隔離區(103)均上下貫通所述Si襯底(101)；所述TSV區(102)和所述隔離區(103)的深度為40～80μm。

2.根據權利要求1所述的TSV轉接板，其特征在于，所述TSV區(102)內所述多晶硅的摻雜濃度為2×10²¹cm^-3，摻雜雜質為磷。

3.根據權利要求1所述的TSV轉接板，其特征在于，所述隔離區(103)內的材料為SiO₂或未摻雜多晶硅。

4.根據權利要求1所述的TSV轉接板，其特征在于，所述TSV區(102)的第一端面和所述橫向二極管(104)與互連線(105)之間設置有鎢插塞。

5.根據權利要求1所述的TSV轉接板，其特征在于，所述TSV區(102)的第二端面上設置有鎢插塞和金屬凸點(106)。

6.根據權利要求5所述的TSV轉接板，其特征在于，所述金屬凸點(106)的材料為銅。

7.根據權利要求1所述的TSV轉接板，其特征在于，所述TSV轉接板還包括設置于所述Si襯底(101)的上表面和下表面的絕緣層。