[發(fā)明專利]一種晶圓缺陷測試的抽樣方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711350738.0 | 申請日: | 2017-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN108063101B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 嚴(yán)詩佳;周倫潮;李磊;王森;馮巍;劉浩 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 缺陷 測試 抽樣 方法 | ||
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓缺陷測試的抽樣方法,其中,包括:步驟S1,獲取一個(gè)或多個(gè)晶圓批次申請進(jìn)入首個(gè)機(jī)臺組進(jìn)行測試的申請;步驟S2,根據(jù)每個(gè)晶圓批次的標(biāo)記在當(dāng)前機(jī)臺組的標(biāo)記列表中進(jìn)行查找,使得在標(biāo)記列表中查找到的標(biāo)記匹配的晶圓批次進(jìn)入步驟S3;步驟S3,獲取當(dāng)前機(jī)臺組中與標(biāo)記相關(guān)的每個(gè)測試機(jī)臺的實(shí)際負(fù)載情況,并根據(jù)實(shí)際負(fù)載情況和負(fù)載閾值判斷相關(guān)的測試機(jī)臺是否能夠容納匹配的晶圓批次;步驟S4,通過能夠容納的晶圓批次的申請,并將未在標(biāo)記列表中查找到的標(biāo)記對應(yīng)的晶圓批次以及不能容納的晶圓批次送至下一個(gè)機(jī)臺組;能夠考慮測試機(jī)臺的負(fù)載能力,使得測試機(jī)臺的負(fù)載均衡,測試效率高,機(jī)臺利用率高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓缺陷測試的抽樣方法。
背景技術(shù)
與晶圓產(chǎn)品相關(guān)的制造工藝包含的工序較多,任何環(huán)節(jié)的微小錯(cuò)誤都有可能導(dǎo)致產(chǎn)品失效,因此對晶圓的缺陷測試就變得尤為關(guān)鍵。
但是,在現(xiàn)有的測試流程中,晶圓的種類有所不同,因此需要將對應(yīng)的晶圓送入能夠進(jìn)行缺陷測試的機(jī)臺,由于測試機(jī)臺的數(shù)量有限,需要通過對晶圓進(jìn)行抽樣以在晶圓的檢測效率上獲得平衡。
但是,現(xiàn)有的抽樣大部分是采用固定的規(guī)則進(jìn)行的,不考慮機(jī)臺的負(fù)載能力,測試機(jī)臺的工作負(fù)載不均衡,測試效率低下。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,本發(fā)明提出了一種晶圓缺陷測試的抽樣方法,其中,包括預(yù)設(shè)步驟:在每個(gè)晶圓批次中設(shè)定反映所述晶圓批次的測試要求的標(biāo)記,并提供多個(gè)測試機(jī)臺作為每個(gè)機(jī)臺組,記錄反映每個(gè)所述機(jī)臺組滿足的測試要求的標(biāo)記列表,以及為每個(gè)所述測試機(jī)臺設(shè)置一負(fù)載閾值;還包括:
步驟S1,獲取一個(gè)或多個(gè)晶圓批次申請進(jìn)入首個(gè)所述機(jī)臺組進(jìn)行測試的申請;
步驟S2,根據(jù)每個(gè)所述晶圓批次的所述標(biāo)記在當(dāng)前所述機(jī)臺組的所述標(biāo)記列表中進(jìn)行查找,使得在所述標(biāo)記列表中查找到的所述標(biāo)記匹配的所述晶圓批次進(jìn)入步驟S3;
步驟S3,獲取當(dāng)前所述機(jī)臺組中與所述標(biāo)記相關(guān)的每個(gè)所述測試機(jī)臺的實(shí)際負(fù)載情況,并根據(jù)所述實(shí)際負(fù)載情況和所述負(fù)載閾值判斷相關(guān)的所述測試機(jī)臺是否能夠容納匹配的所述晶圓批次;
步驟S4,通過能夠容納的所述晶圓批次的申請,并將未在所述標(biāo)記列表中查找到的所述標(biāo)記對應(yīng)的所述晶圓批次以及不能容納的所述晶圓批次送至下一個(gè)所述機(jī)臺組。
上述的抽樣方法,其中,所述步驟S3中,所述實(shí)際負(fù)載情況具體為相關(guān)的每個(gè)所述測試機(jī)臺的實(shí)際負(fù)載值。
上述的抽樣方法,其中,所述步驟S3中,判斷是否能夠容納的具體方法為:
采用一預(yù)設(shè)規(guī)則將匹配的所述晶圓批次模擬分配至相關(guān)的所述測試機(jī)臺中,并根據(jù)所述實(shí)際負(fù)載值和所述負(fù)載閾值在模擬分配后的情況判斷相關(guān)的所述測試機(jī)臺是否能夠容納匹配的所述晶圓批次。
上述的抽樣方法,其中,所述預(yù)設(shè)規(guī)則為平均分配;
根據(jù)相關(guān)的所述測試機(jī)臺中所述實(shí)際負(fù)載值與所述負(fù)載閾值的最小差值為標(biāo)度判斷相關(guān)的所述測試機(jī)臺是否能夠容納匹配的所述晶圓批次。
上述的抽樣方法,其中,所述預(yù)設(shè)規(guī)則采用以下公式進(jìn)行分配:
機(jī)臺分配值=匹配的所述晶圓批次數(shù)量*機(jī)臺的預(yù)設(shè)比率值;
其中,于每個(gè)所述測試機(jī)臺的所述機(jī)臺分配值未超過所述負(fù)載閾值時(shí),判斷相關(guān)的所述測試機(jī)臺能夠容納匹配的所述晶圓批次。
上述的抽樣方法,其中,同一所述機(jī)臺組中每個(gè)所述測試機(jī)臺的所述負(fù)載閾值相同。
上述的抽樣方法,其中,反映每個(gè)所述機(jī)臺組滿足的測試要求的所述標(biāo)記列表存儲于與所述機(jī)臺組中每個(gè)所述測試機(jī)臺連接的一服務(wù)器中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





