[發(fā)明專利]中子捕獲治療系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711350436.3
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN109925610A
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 劉淵豪;陳韋霖
• 申請（專利權）人: 南京中硼聯(lián)康醫(yī)療科技有限公司
• 主分類號: A61N5/10
• 分類號: A61N5/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述中子捕獲治療系統(tǒng)包括用于產(chǎn)生帶電粒子束的加速器、與帶電粒子束發(fā)生反應產(chǎn)生中子射束的中子產(chǎn)生部以及射束整形體，所述射束整形體包括收容部、鄰接于所述中子產(chǎn)生部的緩速體、包圍在所述緩速體外的反射體、與所述緩速體鄰接的熱中子吸收體、設置在所述射束整形體內(nèi)的輻射屏蔽、鄰近于射束整形體的屏蔽裝置和射束出口，所述收容部設有連接于加速器的真空管，所述中子產(chǎn)生部設于所述真空管的端部，所述真空管將經(jīng)加速器加速后的帶電粒子傳輸至所述中子產(chǎn)生部以使中子產(chǎn)生部與帶電粒子束發(fā)生核反應以產(chǎn)生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一根主軸，所述緩速體將自所述中子產(chǎn)生部產(chǎn)生的中子減速至超熱中子能區(qū)，所述反射體將偏離的中子導回至所述緩速體以提高超熱中子射束強度，所述輻射屏蔽用于屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區(qū)的正常組織劑量，所述中子產(chǎn)生部在第一位置和第二位置之間運動，在第一位置，所述中子產(chǎn)生部與帶電粒子束發(fā)生反應以產(chǎn)生中子，在第二位置，所述中子產(chǎn)生部自射束整形體脫落，所述射束整形體和所述屏蔽裝置使得所述中子產(chǎn)生部從第一位置運動到第二位置的過程中始終處于屏蔽中以防止從所述中子產(chǎn)生部泄露的輻射照射到工作人員。

2.根據(jù)權利要求1所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述真空管至少包括連接于加速器的第一真空管部、收容于射束整形體收容部并容納有中子產(chǎn)生部的第二真空管部以及連接第一真空管部和第二真空管部的第三真空管部，所述第三真空管部能夠拆卸以提供中子產(chǎn)生部從收容部運動出的空間，在第二位置，所述中子產(chǎn)生部能夠與第二真空管部一同從收容部運動出而自射束整形體脫落。

3.根據(jù)權利要求2所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述屏蔽裝置包括底壁以及連接于底壁且相對設置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述底壁和兩個側(cè)壁形成具有第一開口、第二開口以及第三開口的U型結構，所述第一開口鄰近于第一真空管部，第二開口鄰近于第二真空管部，第三真空管部穿過第三開口。

4.根據(jù)權利要求3所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述屏蔽裝置還包括與底壁相對設置的頂壁、連接底壁、頂壁的第三側(cè)壁以及第四側(cè)壁，所述第三側(cè)壁和第四側(cè)壁相對設置，所述底壁、頂壁以及四個側(cè)壁形成屏蔽空間，所述頂壁能夠繞第二側(cè)壁或者第四側(cè)壁向遠離屏蔽空間的方向轉(zhuǎn)動，所述第一側(cè)壁和第三側(cè)壁分別能夠繞底壁向遠離屏蔽空間的方向轉(zhuǎn)動，以使所述屏蔽裝置呈U型結構。

5.根據(jù)權利要求4所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：當屏蔽裝置位于第一真空管部和第二真空管部之間時，所述屏蔽裝置呈U型結構；當中子產(chǎn)生部與第二真空管部一同位于屏蔽裝置時，所述屏蔽裝置形成屏蔽空間以對中子產(chǎn)生部進行屏蔽。

6.根據(jù)權利要求1所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述真空管外周與收容部的內(nèi)壁之間填充有填充物，所述中子捕獲治療系統(tǒng)還包括位于收容部內(nèi)且對中子產(chǎn)生部進行冷卻的冷卻裝置，所述填充物填充于所述真空管外周與收容部的內(nèi)壁而包裹住所述冷卻裝置，當中子產(chǎn)生部運動至屏蔽裝置內(nèi)時，所述冷卻裝置及填充物隨中子產(chǎn)生部一同運動至屏蔽裝置內(nèi)。

7.根據(jù)權利要求6所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述填充物為能夠吸收中子或反射中子的材料。

8.根據(jù)權利要求6所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述冷卻裝置包括位于真空管的端部而與所述中子產(chǎn)生部平面接觸的第一冷卻部、位于第一冷卻部兩側(cè)并分別與第一冷卻部連通的第二冷卻部和第三冷卻部，所述第二冷卻部和第三冷卻部沿平行于中子射束軸線的方向延伸且分別位于真空管的上下兩側(cè)而與第一冷卻部形成匚型結構。

9.根據(jù)權利要求1所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述中子捕獲治療系統(tǒng)還包括位于所述真空管下方的容納裝置，所述中子產(chǎn)生部從收容部運動到屏蔽裝置內(nèi)后落入所述容置裝置，所述容置裝置為屏蔽材料制成。

10.根據(jù)權利要求9所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于：所述容置裝置包括底部以及連接于底部的四個側(cè)部，所述底部及四個側(cè)部連接形成具有開口的容置空間，所述容置裝置還還設有兩個遮蔽于所述開口的轉(zhuǎn)動部，所述轉(zhuǎn)動部的一端連接側(cè)部，另一端能夠相對于所連接的側(cè)部向容置空間內(nèi)轉(zhuǎn)動，在自然狀態(tài)下，所述兩個轉(zhuǎn)動部遮蔽于所述容置空間上方而形成容置裝置的頂部；在外力作用下，所述轉(zhuǎn)動部向容置空間轉(zhuǎn)動而收容于容置空間；當外力消除時，所述轉(zhuǎn)動部恢復至自然狀態(tài)。