[發明專利]互連結構的蝕刻輪廓控制

有效

• 申請號: 201711350343.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN108807263B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 柯宇倫;邱意為;張宏睿;郭昱緯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種形成半導體結構的方法包括：在襯底上形成蝕刻停止層；在蝕刻停止層上方形成金屬氧化物層；以及在金屬氧化物層上形成層間介電(ILD)層。該方法進一步包括在ILD層上方形成溝槽蝕刻開口，在溝槽蝕刻開口上方形成覆蓋層，以及在覆蓋層上方形成通孔蝕刻開口。本發明實施例涉及互連結構的蝕刻輪廓控制。

技術領域

本發明實施例涉及互連結構的蝕刻輪廓控制。

背景技術

隨著半導體技術的進步，對于較高存儲電容、較快處理系統、較高性能和較低成本的需求不斷增加。為了滿足這些需求，半導體產業持續地按比例縮小諸如包括平面MOSFET和鰭式場效應晶體管(FinFET)的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的半導體器件的尺寸。這種按比例縮小增加了半導體制造工藝的復雜性。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種形成互連結構的方法，所述方法包括：在襯底上形成蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層上方形成金屬氧化物層；在所述金屬氧化物層上形成層間介電(ILD)層；在所述層間介電層上方形成低溫氧化物層；在所述低溫氧化物層上方形成覆蓋層；以及在所述覆蓋層中形成通孔蝕刻開口。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：在襯底上形成蝕刻停止層；在所述蝕刻停止層上方形成金屬氧化物層；在所述金屬氧化物層上形成層間介電(ILD)層；在所述層間介電層上方形成溝槽蝕刻開口；在所述溝槽蝕刻開口上方形成覆蓋層；以及在所述覆蓋層上方形成通孔蝕刻開口。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種集成電路，包括：半導體器件，包括接觸件結構；以及互連結構，連接至所述接觸件結構，所述互連結構包括：蝕刻停止層，設置在所述半導體器件上方；金屬氧化物層，設置在所述蝕刻停止層上方；層間介電(ILD)層，設置在所述金屬氧化物層上；以及導電通孔，設置在所述金屬氧化物層和所述層間介電層內。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1A是根據一些實施例的集成電路的截面圖。

圖1B是根據一些實施例的互連結構的截面圖。

圖1C是互連結構的截面圖。

圖2是根據一些實施例的用于制造互連結構的方法的流程圖。

圖3-圖7是根據一些實施例的集成電路在其制造工藝的各個階段處的截面圖。

圖8是部分形成的互連結構的截面圖。

圖9是根據一些實施例的集成電路在其制造工藝的一個階段處的截面圖。

圖10-圖12是根據一些實施例的集成電路在其制造工藝的各個階段處的截面圖。

圖13是部分形成的互連結構的截面圖。

圖14是根據一些實施例的集成電路的截面圖。

現在將參考附圖描述說明性實施例。在圖中，類似的參考標號一般表示相同、功能類似和/或結構類似的元件。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。